[发明专利]一种苯并恶唑C2位氨化衍生物的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种苯并恶唑C2位氨化衍生物的制备方法，属于化学物质制备技术领域。

背景技术

恶唑是一种常见的天然产物亚结构，是一种可以用来开发多种新药的较有潜力的前体。近些年来，人们已对苯并恶唑的C2位进行了多种功能化修饰，包括烷基化、酰基化、羰基化、炔基化和氨化等等。其中，苯并恶唑的C2位氨化衍生物是一类重要的且具有较高生物活性的分子，可以治疗阿尔茨海默氏病、精神分裂症等多种神经退行性疾病。

构建C-N键在有机合成中十分重要，人们通常利用烷基卤化物（或三氟甲磺酸酯或磺酸酯）与胺（或胺的前体）进行反应来实现。特别地，自Ullmann和Goldberg报道了Cu催化下芳卤化合物的氨化反应后，人们又借助于合适的配体，利用Pd、Cu和Rh等催化剂成功实现了一系列底物的氨化反应。其中，杂环芳烃的氨化，Mori（A.Mori,et al,Org.Lett.2009,11,1607.）和Schreiber（Q.Wang,L.Schreiber,Org.Lett.2009,11,5178.）等人分别报道了Cu盐催化恶唑C2位氨化的方法。然而，报道的反应条件通常较苛刻（高温），金属催化剂或配体较为昂贵而且使用量较大。因而，寻求一种温和、低廉、高效的方法来实现恶唑的C2位氨化无疑令人瞩目。

发明内容

本发明的目的是提供一种温和、低廉、高效的苯并恶唑C2位氨化衍生物的制备方法。

本发明的技术方案如下：

一种苯并恶唑C2位氨化衍生物的制备方法，其特征在于该方法按如下步骤进行：

1）以苯并恶唑和胺为底物，以钴纳米晶或钴粉或钴箔为催化剂，以叔丁基过氧化氢为氧化剂，以乙酸为添加剂，在常温常压空气氛下将底物、催化剂、氧化剂和添加剂溶解于乙腈中，其中苯并恶唑的摩尔浓度为0.10～0.50mol/L，胺的摩尔浓度为0.11～0.60mol/L，催化剂的摩尔浓度为0.0010～0.0050mol/L，氧化剂的摩尔浓度为0.12～0.60mol/L，添加剂的摩尔浓度为0.12～0.60mol/L，

所述的苯并恶唑结构式如下，

其中R选自氢、烷基、苯基、烷氧基、卤基或乙酰基；所述的胺为吗啡啉、哌啶、1-叔丁氧羰基哌嗪、二烯丙胺或二乙胺。

2）在搅拌的状态下反应4小时～24小时；

3）反应结束，通过柱层析对所得反应混合物进行分离，得到苯并恶唑C2位氨化产物。

本发明所述的钴纳米晶的晶粒度为5纳米～20纳米。

本发明还提供了所述钴纳米晶的制备方法，其按以下步骤：

1）在室温下，将乙酰丙酮钴溶解在油胺中，或溶解在甲苯和油胺的混合溶剂中，制成体积质量浓度为0.5～1.0g/L的溶液；

2）在搅拌下，向上述溶液中加入硼烷-叔丁基胺，制成总体积质量浓度为1.2～3.0g/L的溶液，再将该溶液转移至带有聚四氟乙烯杯的不锈钢高压釜中；

3）将高压釜在150～200°C下保温1小时～10小时后冷却至室温，然后加入乙醇洗涤后即得到纳米晶，再将得到的纳米晶分散在环己烷中备用。

本发明与现有的苯并恶唑C2位氨化衍生物的制备方法相比，该方法具有温和、低廉和高效等优点，避免了已有合成路线中需要高温、需要昂贵的金属催化剂或配体等缺点。

具体实施方式

本发明提供的一种苯并恶唑C2位氨化衍生物的制备方法按如下步骤进行：

1）以苯并恶唑和胺为底物，以钴纳米晶或钴粉或钴箔为催化剂，以叔丁基过氧化氢为氧化剂，以乙酸为添加剂，在常温常压空气氛下将底物、催化剂、氧化剂和添加剂溶解于乙腈中，其中苯并恶唑的摩尔浓度为0.10～0.50mol/L，胺的摩尔浓度为0.11～0.60mol/L，催化剂的摩尔浓度为0.0010～0.0050mol/L，氧化剂的摩尔浓度为0.12～0.60mol/L，添加剂的摩尔浓度为0.12～0.60mol/L，

所述的苯并恶唑结构式如下，

其中R选自氢、烷基、苯基、烷氧基、卤基或乙酰基；所述的胺为吗啡啉、哌啶、1-叔丁氧羰基哌嗪、二烯丙胺或二乙胺；

2）在搅拌的状态下反应4小时～24小时；

3）反应结束，通过柱层析对所得反应混合物进行分离，得到苯并恶唑的氨化产物。

本发明所述的钴纳米晶的晶粒度为5纳米～20纳米。

本发明还提供所述钴纳米晶的制备方法，其包括以下步骤：