[发明专利]适用于选择性发射极太阳电池的无掩膜回蚀方法

权利要求书

1.适用于选择性发射极太阳电池的无掩膜回蚀方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤①，采用硅片放入加工溶液中，加热到对应温度，控制反应时间确保单面去除机械损伤层厚度为6-10μm；

步骤②，将硅片放入氧化炉中，采用水蒸汽氧化法在硅片表面形成20-30nm厚SiO₂层；

步骤③，采用丝网印刷的方法在上述经过氧化的硅片上根据金属栅线图形，进行丝网印刷腐蚀性浆料，腐蚀图形后将浆料清洗干净；

步骤④，将经过上述处理过的硅片放入扩散炉中进行扩散，扩散后腐蚀图形区域方阻30-60Ω/sqr，其他区域70-80Ω/sqr；

步骤⑤，将经过扩散的硅片去除表面氧化层及磷硅玻璃，并腐蚀去除背结；

步骤⑥，将上述处理过的硅片回蚀溶液中进行回蚀，回蚀后方阻腐蚀图形区域45-50Ω/sqr，其他区域100-120Ω/sqr；

步骤⑦，利用PECVD设备在发射结表面制作氮化硅膜，氮化硅膜的膜厚控制范围70-80nm，折射率控制范围2.0-2.1；

步骤⑧，利用丝网印刷设备制备正、背面电极以及背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。

2.根据权利要求1所述的适用于选择性发射极太阳电池的无掩膜回蚀方法，其特征在于：所述的硅片为p型单晶硅片，晶粒面积约占整个硅片的90％。

3.根据权利要求1所述的适用于选择性发射极太阳电池的无掩膜回蚀方法，其特征在于：所述的去除机械损伤层时温度为5-10℃。

4.根据权利要求1所述的适用于选择性发射极太阳电池的无掩膜回蚀方法，其特征在于：所述的加工溶液为NaOH溶液，NaOH重量百分比为30％，溶液中加入H₂O₂，H₂O₂体积百分比10％；或是，所述的加工溶液为HF、HNO3的混合溶液，混合溶液体积百分含量为60％，HF和HNO3的体积比为1∶3.5。

5.根据权利要求1所述的适用于选择性发射极太阳电池的无掩膜回蚀方法，其特征在于：所述的去除表面氧化层及磷硅玻璃的过程为，将经过扩散的硅片放入氢氟酸溶液中，去除表面氧化层及磷硅玻璃；或是，利用532nm激光器根据金属栅线图形局部熔融磷硅玻璃。

6.根据权利要求1所述的适用于选择性发射极太阳电池的无掩膜回蚀方法，其特征在于：所述的对应温度为50-80℃。

7.根据权利要求1所述的适用于选择性发射极太阳电池的无掩膜回蚀方法，其特征在于：步骤③进行丝网印刷的丝网宽度为300-400um。

8.根据权利要求1所述的适用于选择性发射极太阳电池的无掩膜回蚀方法，其特征在于：所述的回蚀溶液为氢氟酸和硝酸的混合溶液，氢氟酸和硝酸比例为1∶5。