[发明专利]共晶机及共晶方法有效
| 申请号： | 201210227712.8 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN102728919A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 杨勇平;何永基 | 申请（专利权）人： | 杨勇平 |
| 主分类号： | B23K3/00 | 分类号： | B23K3/00;B23K3/04;B23K3/08;B23K1/00;B23K35/24 |
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| 地址： | 421213 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 共晶机 方法 | ||
1.一种共晶机，其特征在于：包括进料装置、传送装置、预加热装置、加热装置及收料装置；所述预加热装置及所述加热装置设置于所述进料装置与所述出料装置之间，所述进料装置、预加热装置、加热装置及收料装置通过所述传送装置相连接；所述加热装置上还设有一真空密封装置，所述传送装置上设有固定装置。
2.根据权利要求1所述的共晶机，其特征在于：所述真空密封装置包括上密封盒、下密封盒、进气嘴及出气嘴。
3.根据权利要求1所述的共晶机，其特征在于：所述进料装置为一进料盒，所述收料装置为一收料盒；所述传送装置为一传送轨。
4.根据权利要求1所述的共晶机，其特征在于：所述固定装置为一压板。
5.根据权利要求1所述的共晶机，其特征在于：所述预加热装置及所述加热装置为均板状加热块。
6.一种共晶方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)在基板上点上共晶焊料，再将若干LED芯片置于所述基板的设定位置上；
(2)预加热，对上述基板进行预加热至设定温度，所述设定温度低于所述共晶焊料熔点；
(3)真空加热焊接，将上述基板置于真空环境下进行加热，加热温度应当高于所述共晶焊料熔点，加热完成后真空晶焊开始。
7.根据权利要求6所述的共晶方法，其特征在于：步骤(2)中所述设定温度一般为100摄氏度至150摄氏度；步骤(3)中所述加热温度一般为220摄氏度至300摄氏度。
8.根据权利要求6所述的共晶方法，其特征在于：步骤(3)中所述真空度可以为0.1mPa，所述真空晶焊时间约为10秒至100秒。
9.根据权利要求6所述的共晶方法，其特征在于：所述共晶焊料主要是金锡合金、银锡合金或锡银铜合金。
10.根据权利要求6所述的共晶方法，其特征在于还可以包括如下步骤：在步骤(3)完成之后向所述真空环境内通入氮气以促进共晶焊料的冷却固化。
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