[发明专利]双面电极走线电容屏功能片及其加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及电容屏功能片的技术领域，尤其涉及双面走线电容屏功能片及其加工方法。 

背景技术

如图1所示，为现有技术中的双面走线电容屏功能片1的加工方法的流程图，其具体操作如下： 

在玻璃基板10的两相对侧面上真空溅镀ITO（纳米铟锡金属氧化物）导电层11，接着，双面光刻ITO导电层11，形成ITO电极图案12；在两ITO电极图案12上真空溅镀钼铝钼导电层13″，再双面光刻钼铝钼导电层13，形成钼铝钼电极图案14，最后形成电容屏功能片1。 

上述的加工方法存在着以下缺陷：1）、需要在玻璃基板10上进行两次真空溅镀工艺，增加加工成本，且加工周期长，加工效率低；2）、钼铝钼的活性较大，易和其它物质发生反应，这样，其难以兼容在生产线中，从而极大的降低生产的投入规模，直接降低生产效率；3）、分别两次溅镀，再分别两次光刻，这样，使得工艺链较长，降低生产效率。 

发明内容

本发明的目的在于提供双面电极走线电容屏功能片的加工方法，旨在解决现有技术中的加工方法需要进行两次真空溅镀以及钼铝钼活性问题以致加工成本低、周期长、效率低的问题。 

本发明是这样实现的，双面电极走线电容屏功能片的加工方法，加工步骤如下： 

1）、提供玻璃基板，于所述玻璃基板两相对侧面上分别溅镀ITO导电层； 

2）、于所述两层ITO导电层上分别电镀Cu导电层； 

3）、分别光刻两层所述Cu导电层，形成Cu电极图案；

4）、分别光刻两层所述ITO导电层，形成ITO电极图案。

根据上述的加工方法，本发明还提供了双面电极走线电容屏功能片，其包括玻璃基板，所述玻璃基板两相对侧面上分别设有ITO电极图案，两所述ITO电极图案上分别设有Cu电极图案。 

与现有技术相比，利用上述的加工方法加工双面电极走线电容屏功能片，不需要在玻璃基板上进行两次溅镀工艺，大大降低了加工成本，且不需要设置钼铝钼导电层，可避免钼铝钼导电层活性问题以致难以扩大生产规模的问题，在该加工方法中，可采用连续多层光刻工艺分别形成ITO电极图案以及Cu电极图案，极大缩短生产工艺链，缩短加工周期，提高生产效率。 

附图说明

图1是现有技术中的双面电极走线电容屏功能片的加工流程图； 

图2是本发明实施例提供的双面电极走线电容屏功能片的加工流程图。 

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。 

以下结合具体附图对本发明的实现进行详细的描述。 

如图2所示，为本发明提供的一较佳实施例。 

本实施例提供了双面电极走线电容屏功能片1的加工方法，其具体加工步骤如下： 

1）、提供一玻璃基板10，在玻璃基板10的两相对侧面上真空溅镀ITO导 电层11； 

2）在两层ITO导电层11上电镀上Cu导电层13； 

3）、在两Cu导电层13上进行光刻，使得两Cu导电层13上分别形成Cu电极图案14； 

4）、光刻两底层ITO导电层11，使得两ITO导电层11形成ITO电极图案12，从而形成了电容屏功能片1。 

利用上述的加工方法加工双面电极走线电容屏功能片1，其具有以下优点： 

1）、不需要在玻璃基板10上进行两次溅镀工艺，只需要进行一次ITO导电层11溅镀则可，大大的降低加工成本； 

2）、在ITO导电层11上电镀Cu导电层13，避免溅镀钼铝钼导电层，从而可避免钼铝钼导电层活性强以致难以兼容至生产线的问题，从而可扩大生产规模，提高生产效率； 

3）、该加工方法中，依序先在玻璃基板10上溅镀ITO导电层11和电镀Cu导电层13，再采用连续多层光刻工艺分别形成ITO电极图案12和Cu电极图案14，极大的缩短生产工艺链，缩短加工周期，提高生产效率。 

根据上述的加工方法，本实施例还提供了双面电极走线电容屏功能片1。 

该功能片1包括玻璃基板10、分别设在玻璃基板10两相对侧面上的ITO电极图案12以及分别设置在两ITO电极图案12上的Cu电极图案14。该功能片1没有使用钼铝钼电极图案，从而，在加工过程中，可避免进行两次溅镀，降低加工成本，缩短加工时间，且可避免钼铝钼活性较强的问题，在加工过程中，可以解决生产线兼容的问题，扩大生产线，提高加工效率。