[发明专利]便于打线的LED芯片及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光二级管(LED)制造领域，特别是涉及一种便于打线的LED芯片及其制备方法。

背景技术

自从20世纪90年代初氮化镓基LED商业化以来，LED的应用领域得到迅速的扩大，扩大的市场又不断对LED提出新的技术要求，促使LED的结构向更完善、更成熟的方向发展。近年来国内LED企业在政府的鼓励扶持下，通过北京奥运会、上海世博会、广州亚运会、深圳大运会和“十城万盏”等又获得了进一步的发展。随着图形化蓝宝石衬底(Patterned Sapphire Substrate，简称PSS)的引入及外延层半导体材料外延生长技术的不断改进，外延层半导体材料的晶体质量得到了很大的提高，从而降低了由于晶格缺陷及材料吸收造成的光能损失，而且减少了由于界面全反射造成的光能损失，大大提高了LED芯片的外量子效率，满足了现阶段景观照明和通用照明对LED芯片亮度的需求。然而外延层半导体材料的晶体质量的提高，使得晶格缺陷的减少，从而大大降低了外延层上表面的粗糙度，降低了电极与外延层的黏附性，造成电极脱落和打线困难等异常现象。

因此，如何提高电极与外延层的黏附性，解决电极脱落和打线困难等问题，已成为本领域技术人员需要解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种便于打线的LED芯片及其制备方法，以解决现有的电极与外延层的黏附性差，电极易脱落和打线困难等问题，提高了打线成功的概率。

为解决上述技术问题，本发明提供一种便于打线的LED芯片，包括：

衬底；

外延层，所述外延层设置于所述衬底上，所述外延层具有第一电极制备区和第二电极制备区，所述第一电极制备区和所述第二电极制备区彼此独立，所述第一电极制备区内具有第一电极粗化区，所述第二电极制备区内具有第二电极粗化区；

第一电极，所述第一电极设置于所述第一电极制备区上；以及

第二电极，所述第二电极设置于所述第二电极制备区上。

进一步的，所述衬底为图形化衬底或非图形化衬底。

进一步的，所述衬底的材料为蓝宝石、碳化硅、氧化镁或氧化锌。

进一步的，所述外延层包括自上至下依次层叠设置的第一限制层、发光外延层和第二限制层，所述第一电极制备区位于所述第一限制层上，所述第二限制层包括第一区域和第二区域，所述发光外延层和第二限制层位于所述第一区域上，所述第二电极制备区位于所述第二区域内。

进一步的，所述外延层上还具有透明导电层，所述透明导电层位于所述第一限制层上，所述透明导电层露出部分所述第一电极制备区，露出部分的第一电极制备区中包括第一电极粗化区。

进一步的，所述第一电极粗化区的面积小于等于所述第一电极制备区的面积，所述第二电极粗化区的面积小于等于所述第二电极制备区的面积。

进一步的，所述第一电极粗化区和所述第二电极粗化区均具有纳米图案，所述纳米图案的长、宽、高以及相邻纳米图案之间的间距均在10nm～200nm之间。

进一步的，所述纳米图案为无序排列。

进一步的，所述第一电极和所述第二电极的上表面均具有粗糙表面。

进一步的，所述第一电极和第二电极均包括自下至上依次层叠的欧姆接触层、过渡层及主电极层。

进一步的，所述主电极层的材料为金属铝，厚度为

进一步的，在所述外延层、第一电极以及第二电极上还设置有钝化保护膜，所述钝化保护膜覆盖所述第一电极的边缘并露出第一电极的中间区域，所述钝化保护膜覆盖所述第二电极的边缘并露出第二电极的中间区域。

同时，本发明还提供一种便于打线的LED芯片的制备方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上制备外延层，所述外延层具有第一电极制备区和第二电极制备区，所述第一电极制备区和所述第二电极制备区彼此独立；

对所述第一电极制备区和第二电极制备区分别进行粗化形成第一电极粗化区和第二电极粗化区，以得到具有第一电极粗化区的第一电极制备区和具有第二电极粗化区的第二电极制备区；

制备第一电极和第二电极，所述第一电极设置于具有所述第一粗化区的第一电极制备区上，所述第二电极设置于具有所述第二粗化区的第二电极制备区上。

进一步的，所述衬底为图形化衬底或非图形化衬底，所述衬底的材料为蓝宝石、碳化硅、氧化镁或氧化锌。

进一步的，所述外延层包括自上至下依次层叠设置的第一限制层、发光外延层和第二限制层，所述第二限制层包括第一区域和第二区域，在所述衬底上制备外延层的步骤包括：