[发明专利]晶片封装体及其形成方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一表面及一第二表面；

一光电元件，形成于该基底之中；

一导电层，设置于该基底之上，其中该导电层电性连接该光电元件；

一绝缘层，设置于该基底与该导电层之间；

一遮光层，设置于该基底的该第二表面之上，且直接接触该导电层，其中该遮光层的遮光率大于80%，且具有露出该导电层的至少一开口；以及

一导电凸块，设置于该遮光层的该开口之中以电性接触该导电层，其中该遮光层与该导电凸块共同完全覆盖该基底的该第二表面。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一穿孔，自该第二表面朝该第一表面延伸，其中该绝缘层延伸于该穿孔的一侧壁上，且延伸至该基底的该第二表面上，且该导电层延伸至该穿孔中的该绝缘层之上。

3.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层延伸至该穿孔之中。

4.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层顺应性设置于该穿孔的该侧壁上的该导电层之上。

5.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层填充于该穿孔之中。

6.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层填满该穿孔。

7.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层覆盖该穿孔。

8.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层完全不填入该穿孔。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该遮光层直接接触该导电凸块。

10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该导电凸块完全填满该遮光层的该开口。

11.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一透明基底，设置于该基底的该第一表面上。

12.根据权利要求11所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一间隔层，设置于该基底与该透明基底之间，其中该间隔层、该基底及该透明基底共同于该光电元件之上围绕出一空腔。

13.一种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基底，该基底具有一第一表面及一第二表面，其中该基底之中形成有至少一光电元件；

于该基底上形成一绝缘层；

于该基底上的该绝缘层之上形成一导电层，其中该导电层电性连接该至少一光电元件；

于该基底的该第二表面上形成一遮光层，其中该遮光层直接接触该导电层且具有露出该导电层的至少一开口，且该遮光层的遮光率大于80%；以及

于该遮光层的该至少一开口中形成一导电凸块以电性连接该导电层，其中该遮光层与该导电凸块共同完全覆盖该基底的该第二表面。

14.根据权利要求13所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括在形成该绝缘层之前，自该基底的该第二表面移除部分的该基底以形成朝该基底的该第一表面延伸的一穿孔，其中该绝缘层延伸于该穿孔的一侧壁上，且该导电层延伸于该穿孔中的该绝缘层之上。

15.根据权利要求14所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该遮光层延伸于该穿孔中的该导电层之上。

16.根据权利要求13所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括沿着该基底上的多个预定切割道进行一切割制程以形成彼此分离的多个晶片封装体。

17.根据权利要求13所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该导电凸块的形成包括：

于该遮光层的该至少一开口中填入一焊料；以及

对该焊料进行一回焊制程以形成该导电凸块。

18.根据权利要求13所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括于该基底的该第一表面上设置一透明基底。

19.根据权利要求18所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括于该基底与该透明基底之间设置一间隔层，其中该间隔层、该基底及该透明基底共同于该光电元件之上围绕出一空腔。

20.根据权利要求13所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该遮光层的形成包括：

于该基底的该第二表面上涂布一高分子溶液以形成一遮光材料层；以及

对该遮光材料层进行一曝光制程及一显影制程以形成该遮光层。