[发明专利]固态孔阵及其制作方法

权利要求书

1.一种固态孔阵的制作方法，包括：

在衬底的顶面和底面上分别形成底部孔阵基底和顶部孔阵基底；

在所述顶部孔阵基底中形成正面孔；

在具有所述顶部孔阵基底的所述衬底上形成顶部保护层，并在所述底部孔阵基底上形成底部保护层；

在所述底部孔阵基底和所述底部保护层中形成背面窗口；以及

通过碱腐蚀蚀穿所述衬底，以使所述正面孔与所述背面窗口连通。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其中，在衬底顶面沉积的所述孔阵基底中形成正面孔的步骤进一步包括：

在所述顶部孔阵基底上涂覆光刻胶，通过光刻和反应离子刻蚀在所述顶部孔阵基底中形成正面孔，以露出所述衬底。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其中，在所述衬底底面沉积的所述保护层中形成背面窗口的步骤进一步包括：

在所述底部保护层上涂覆光刻胶，通过光刻和反应离子刻蚀在所述底部孔阵基底和所述底部保护层中形成背面窗口，以露出所述衬底。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其中，所述保护层的厚度在8-20纳米之间。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其中，所述顶部孔阵基底和所述底部孔阵基底的材料为低应力氮化硅或者低应力氧化硅。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其中，所述顶部保护层和所述底部保护层的材料为低温氮化硅或者低温氧化硅。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其中，利用KOH或者四甲基氢氧化铵进行所述碱腐蚀。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其中，所述正面孔的宽度小于所述背面窗口的宽度。

9.一种固态孔阵列，包括：

具有通孔的衬底；

在所述衬底顶面上形成的顶部孔阵基底和在所述衬底底面上形成的底部孔阵基底，其中在所述顶部孔阵基底中对应于所述通孔位置处具有正面孔；以及

在所述顶部孔阵基底的表面和侧壁上形成的顶部保护层以及在所述底部孔阵基底的表面上形成的底部保护层，其中，在所述底部孔阵基底和所述底部保护层中对应于所述通孔位置处具有背面窗口。

10.根据权利要求9所述的固态孔阵列，其中，所述顶部孔阵基底和所述底部孔阵基底的材料为低应力氮化硅或者低应力氧化硅。

11.根据权利要求9所述的固态孔阵列，其中，所述顶部保护层和所述底部保护层的材料为低温氮化硅或者低温氧化硅。

12.根据权利要求9所述的固态孔阵列，其中，所述保护层的厚度在8-20纳米之间。

13.根据权利要求9所述的固态孔阵列，其中，所述正面孔的宽度小于所述背面窗口的宽度。