[发明专利]封装单元及封装多个多层陶瓷电容器的方法

权利要求书

1.一种用于多个多层陶瓷电容器的封装单元，包括：

多个厚度T_MLCC与宽度W_MLCC相等或相近的多层陶瓷电容器；

包括多个储存空间的封装板，所述多层陶瓷电容器被容纳在所述储存空间中，并且各多层陶瓷电容器的内电极与所述储存空间的底面基本平行。

2.根据权利要求1所述的封装单元，其中，所述多层陶瓷电容器的厚度T_MLCC与宽度W_MLCC之间的比T_MLCC/W_MLCC为0.75≤T_MLCC/W_MLCC≤1.25。

3.根据权利要求2所述的封装单元，其中，所述多层陶瓷电容器的厚度T_MLCC与宽度W_MLCC之间的比T_MLCC/W_MLCC为0.9≤T_MLCC/W_MLCC≤1.1。

4.根据权利要求3所述的封装单元，其中，所述多层陶瓷电容器的厚度T_MLCC与宽度W_MLCC之间的比T_MLCC/W_MLCC为0.95≤T_MLCC/W_MLCC≤1.05。

5.根据权利要求1所述的封装单元，其中，所述封装板被卷绕成卷筒状。

6.根据权利要求1所述的封装单元，还包括覆盖所述封装板的封装层。

7.根据权利要求1所述的封装单元，还包括覆盖所述封装板的封装层，其中，所述封装板被卷绕成卷筒状。

8.根据权利要求1所述的封装单元，其中，所述多层陶瓷电容器的电介质层厚度小于3μm。

9.根据权利要求1所述的封装单元，其中，所述多层陶瓷电容器的电介质层数多于200层。

10.根据权利要求1所述的封装单元，其中，所述多层陶瓷电容器的电介质层厚度小于3μm，并且所述多层陶瓷电容器的电介质层数多于200层。

11.一种用于多个多层陶瓷电容器的封装单元，包括：

多个包括内电极的多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器的厚度T_MLCC与宽度W_MLCC之间的比T_MLCC/W_MLCC满足0.75≤T_MLCC/W_MLCC≤1.25；以及

封装板，包括用于容纳所述多层陶瓷电容器的储存空间，被容纳在所述储存空间内的所有所述多层陶瓷电容器的内电极与所述储存空间的底面基本平行。

12.根据权利要求11所述的封装单元，其中，所述多层陶瓷电容器的厚度T_MLCC与宽度W_MLCC之间的比T_MLCC/W_MLCC为0.9≤T_MLCC/W_MLCC≤1.1。

13.根据权利要求12所述的封装单元，其中，所述多层陶瓷电容器的厚度T_MLCC与宽度W_MLCC之间的比T_MLCC/W_MLCC为0.95≤T_MLCC/W_MLCC≤1.05。

14.根据权利要求11所述的封装单元，其中，所述封装板被缠绕成卷筒状。

15.根据权利要求11所述的封装单元，还包括覆盖所述封装板的封装层。

16.根据权利要求11所述的封装单元，还包括覆盖所述封装板的封装层，

其中，所述封装板被缠绕成卷筒状。

17.根据权利要求11所述的封装单元，其中，所述多层陶瓷电容器的电介质层厚度小于3μm。

18.根据权利要求11所述的封装单元，其中，所述多层陶瓷电容器的电介质层数多于200层。