[发明专利]用于闪存的掉电保护电路及掉电保护时序电路

说明书

本发明涉及一种用于闪存的掉电保护时序电路，包括独立电源转换模块、电源监控模块、写保护模块以及复位模块；独立电源转换模块用于将外部供电电源转换为内部供电电源并通过独立电源转换模块的输出端输出，从而在外部供电电源掉电过程中实现内部供电电源最后掉电；电源监控模块用于获取外部供电电源，并在外部供电电源的电压小于掉电阈值时输出告警信号。本发明还涉及一种用于闪存的掉电保护电路。本发明当外部供电电源的电压跌落至掉电阈值以下时，将闪存的写保护引脚拉至低电平，闪存被置于写保护状态，直至掉电结束。因此，在掉电过程中，闪存中存储的数据不会被擦除，提高了存储的数据的安全性。

技术领域

本发明涉及紧急保护电路装置，特别是涉及一种用于闪存的掉电保护电路，还涉及一种用于闪存的掉电保护时序电路。

背景技术

闪存的英文名称是Flash Memory，一般简称为Flash。闪存是一种非易失性（Non-Volatile）存储器，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。闪存主要分为NOR型和NAND型两大类。

NAND闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块，NAND的存储块大小为8到32KB）。这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过512MB容量的NAND产品相当普遍，NAND闪存的成本较低，有利于大规模普及。

NOR闪存的特点是芯片内执行(XIP，eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在NOR闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何fash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

在实际应用中，部分嵌入式产品的中央处理器在掉电过程中，由于状态不可控,存在误操作的可能，会将闪存中部分块的内容误擦除，导致产品在断电后无法再次启动。

发明内容

基于此，有必要针对传统的闪存容易在掉电过程中数据被误擦除的问题，提供一种用于闪存的掉电保护电路。

一种用于闪存的掉电保护电路，包括电源监控模块和电子开关单元，所述电源监控模块连接电子开关单元，所述电子开关单元用于连接闪存的写保护引脚；所述电源监控模块用于获取外部供电电源，并在所述外部供电电源的电压小于掉电阈值时控制所述电子开关单元输出低电平给所述写保护引脚；所述电子开关单元包括第一分压电阻、第二分压电阻、下拉电阻及第一开关管，所述第一开关管包括输入端、输出端及控制端，所述第一开关管的输出端用于连接所述写保护引脚，且所述第一开关管的输出端通过所述下拉电阻接地；所述第一开关管的输入端用于连接所述闪存的电源，且所述第一开关管的输入端通过所述第二分压电阻连接所述第一开关管的控制端；所述第一开关管的控制端通过所述第一分压电阻连接所述电源监控模块。

在其中一个实施例中，所述第一开关管为PNP型三极管，所述第一开关管的输入端为所述三极管的发射极，所述第一开关管的输出端为所述三极管的集电极，所述第一开关管的控制端为所述三极管的基极。

在其中一个实施例中，所述电源监控模块包括第二开关管、第三分压电阻、第四分压电阻及第五分压电阻，所述第二开关管包括输入端、输出端及控制端，所述第二开关管的输入端通过所述第三分压电阻连接所述外部供电电源；所述第二开关管的输出端接地；所述第二开关管的控制端通过所述第四分压电阻连接所述外部供电电源，且所述第二开关管的控制端通过所述第五分压电阻接地。