[发明专利]一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法有效
| 申请号： | 201210225808.0 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN102768969A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 王洲男;龙吟;倪棋梁;陈宏璘;郭明升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 扫描 中的 光斑 抑制 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：制备一要进行缺陷扫描的半导体器件，对所述半导体器件在亮场缺陷检测机台上产生的光斑进行信息的采集和分析；
步骤S2：将采集到的光斑的信息转化为光斑图形；
步骤S3：根据所述光斑图形，描绘出光斑阻挡形状；
步骤S4：根据所述光斑阻挡形状，生成光斑阻挡板，并利用该光斑阻挡板对所述半导体器件进行缺陷检测工艺。
2.根据权利要求1所述的平板亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，其特征在于，所述步骤S1中采用光斑分析系统对所述半导体器件在亮场缺陷检测机台上产生的光斑进行信息的采集和分析。
3.根据权利要求1所述的平板亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，其特征在于，所述步骤S2中采用光斑图形转化系统将采集到的光斑的信息转化为光斑图形。
4.根据权利要求1所述的平板亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，其特征在于，所述步骤S3中利用自定义光斑阻挡设计系统描绘出光斑阻挡形状。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的平板亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法，其特征在于，所述步骤S4中通过自动光斑阻挡生成装置生成光斑阻挡板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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