[发明专利]一种可抗噪声干扰的高压侧栅驱动电路

权利要求书

1.一种可抗噪声干扰的高压侧栅驱动电路，包括高压电平移位电路（1）、差模噪声消除电路（2）、RS触发器（3）、输出驱动级电路（4）、共模噪声消除电路（5），高压电平移位电路（1）将输入的两路低压脉冲信号转换为高压脉冲信号输出，该高压脉冲信号输出至差模噪声消除电路（2），差模噪声消除电路（2）的输出信号经过RS触发器（3）进入输出驱动级电路（4），输出驱动级电路（4）输出方波驱动信号控制外部功率管的开关，其特征在于，在高压电平移位电路（1）与差模噪声消除电路（2）之间设有共模噪声消除电路（5），所述高压电平移位电路（1）的输出端接共模噪声消除电路（5）的输入端，共模噪声消除电路（5）的输出端接差模噪声消除电路（2）的输入端，所述共模噪声消除电路（5）由PMOS管MP1和PMOS管MP2，电阻R11和电阻R12组成，PMOS管MP1的栅端接高压电平移位电路（1）中的LDMOS管LDM2的漏端，PMOS管MP1的源端接高压电平移位电路（1）中的LDMOS管LDM1的漏端，PMOS管MP1的漏端接电阻R11的一端，电阻R11的另一端接浮动电源VB的参考点VS，PMOS管MP2的栅端接高压电平移位电路（1）中的LDMOS管LDM1的漏端，PMOS管MP2的源端接高压电平移位电路（1）中的LDMOS管LDM2的漏端，PMOS管MP2的漏端接电阻R12的一端，电阻R12的另一端接浮动电源VB的参考点VS。

2.根据权利要求1所述的一种可抗噪声干扰的高压侧栅驱动电路，其特征在于，所述的高压电平移位电路（1）由LDMOS管LDM1和LDMOS管LDM2，漏端电阻R1和漏端电阻R2，齐纳二极管D1、齐纳二极管D2、齐纳二极管D3、齐纳二极管D4、齐纳二极管D5、齐纳二极管D6组成，LDMOS管LDM1的栅极接前级电路的输出端，LDMOS管LDM2的栅极接前级电路的输出端，LDMOS管LDM1和LDMOS管LDM2的源极都接地COM，LDMOS管LDM1管的漏极接电阻R1的一端，电阻R1的另一端接电源信号VB，齐纳二极管D1的负极与电源信号VB相连，齐纳二极管D1的正极与齐纳二极管D2的负极相连，齐纳二极管D2的正极与齐纳二极管D3的负极相连，齐纳二极管D3的正极与LDMOS管LDM1的漏极相连，LDMOS管LDM2管的漏极接电阻R2的一端，电阻R2的另一端接电源信号VB，齐纳二极管D4的负极与电源信号VB相连，齐纳二极管D4的正极与齐纳二极管D5的负极相连，齐纳二极管D5的正极与齐纳二极管D6的负极相连，齐纳二极管D6的正极与LDMOS管LDM2的漏极相连。

3.根据权利要求1所述的一种可抗噪声干扰的高压侧栅驱动电路，其特征在于，所述差模噪声消除电路（2）包括反相器INV1、反相器INV2、反相器INV3、反相器INV4、反相器INV5、反相器INV6，施密特触发器SMT1和施密特触发器SMT2，电容C1和电容C2，反相器INV1的输入端接共模噪声消除电路（5）中的PMOS管MP2的漏端，反相器INV2的输入端接共模噪声消除电路（5）中的PMOS管MP1的漏端，反相器INV1的输出接反相器INV3的输入端，反相器INV3的输出端接施密特触发器SMT1的输入端，施密特触发器SMT1的输出端接反相器INV5的输入端，反相器INV5输出置位信号Vset_给RS触发器（3）的S输入端，反相器INV2的输出接反相器INV4的输入端，反相器INV4的输出接施密特触发器SMT2的输入，施密特触发器SMT2的输出接反相器INV6的输入，反相器INV6输出复位信号Vrst_给RS触发器（3）的R输入端。

4.根据权利要求1所述的一种可抗噪声干扰的高压侧栅驱动电路，其特征在于，所述输出驱动级电路（4）包括反相器INV7、反相器INV8、反相器INV9、反相器INV10，反相器INV7的输入端接RS触发器（3）的输出端Q，反相器INV8的输入端接反相器INV7的输出端，反相器INV9的输入端接反相器INV8的输出端，反相器INV10的输入端接反相器INV9的输出端，反相器INV10的输出端输出信号HO驱动外部高侧功率管。