[发明专利]封装基板及其制作方法

权利要求书

1.一种封装基板，其特征在于，包括：

基板；

导电层或半导体层，所述导电层或半导体层形成于所述基板表面，为一层或多层结构，所述导电层或半导体层上包括：分立器件、互连引线和芯片接触点；

裸芯片，所述裸芯片通过连接部与芯片接触点电连接，并固定在所述基板上；

连接部，设置于所述裸芯片与所述芯片接触点导电层之间，用于将所述裸芯片与所述芯片接触点电连接；

绝缘层，所述绝缘层形成于导电层或半导体层的层与层之间或最外层导电层表面。

2.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述基板表面还包括外连引线触点区，所述外连引线触点区设置于所述基板的元件及连接走线的外围区域。

3.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述基板表面还包括保护层。

4.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述导电层的材料是钼、铝、铬、透明合金、或银中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述半导体层的材料是非晶硅、低温多晶硅或氧化物半导体。

6.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述分立器件包括电容、电阻、电感、TFT开关、TFT二极管中的一种或多种。

7.如权利要求6所述的封装基板，其特征在于，所述分立器件形成于导电层或半导体层的某一层，或形成于多层导电层或半导体层。

8.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述导电层还包括抗干扰信号屏蔽层。

9.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述绝缘层是氮化硅、氧化硅、或有机膜。

10.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述基板包括第一表面和与之相对的第二表面，所述第一表面和第二表面具有延展的平面，所述导电层形成于所述基板的第一表面或形成于所述基板的第一表面和第二表面。

11.如权利要求10所述的封装基板，其特征在于，所述基板的材质为玻璃、耐高温有机物、金属、石英或金刚石。

12.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述裸芯片还包括连接部金凸块，所述金凸块与所述芯片接触点位置一一对应。

13.如权利要求12所述的封装基板，其特征在于，所述连接部还包括各向异性导电膜。

14.如权利要求13所述的封装基板，其特征在于，所述裸芯片的金凸块和芯片接触点固定的方式为通过所述各向异性导电膜压合连接。

15.如权利要求12所述的封装基板，其特征在于，所述裸芯片的金凸块和芯片接触点固定的方式为通过金属键合进行连接。

16.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述裸芯片包括连接部焊接球。

17.如权利要求16所述的封装基板，其特征在于，所述裸芯片和芯片接触点固定的方式为通过所述焊接球进行连接。

18.一种如权利要求13至14所述的封装基板的制作方法，其特征在于，包括提供基板；

利用TFT工艺在所述基板表面形成分立器件、互连引线、芯片接触点和绝缘层，所述芯片接触点适用于待固定的裸芯片；

固定所述裸芯片与芯片接触点。

19.如权利要求18所述的制作方法，其特征在于，所述裸芯片与芯片接触点的固定方式为采用COG热合工艺。

20.如权利要求18所述的制作方法，其特征在于，利用a-Si工艺、LTPS工艺或OTFT工艺等制作分立器件、互连引线、芯片接触点和绝缘层。

21.如权利要求18所述的制作方法，其特征在于，利用物理气相沉淀、溅射或蒸镀形成所述导电层。

22.如权利要求18所述的制作方法，其特征在于，利用等离子体增强化学气相沉积法形成所述半导体层、绝缘层。

23.一种如权利要求15所述的封装基板的制作方法，其特征在于，包括提供基板；

利用TFT工艺在所述基板表面形成分立器件、互连引线、芯片接触点和绝缘层，所述芯片接触点适用于待固定的裸芯片；

固定所述裸芯片与芯片接触点。