[发明专利]一种高锰硅复合热电材料及其制备方法无效
申请号: | 201210224501.9 | 申请日: | 2012-06-28 |
公开(公告)号: | CN102931334A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 路清梅;李刚;张久兴;张忻;刘果 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L35/14 | 分类号: | H01L35/14;H01L35/34;C01B33/06 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高锰硅 复合 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于新型功能材料领域,具体涉及一种高锰硅复合(HMS / MnSi)热电材料及其制备方法。
背景技术
高锰硅是一种新型的应用于中温区(500-800k)的热电材料,与传统的中温区热电材料Pb-Te合金相比,具有价格低廉、抗氧化性能优异、无毒无害等特点。在热端温度为550℃,冷端温度接近室温的条件下,p-HMS/n-Mg2(Si,Sn)热电模块的热电转换效率能够达到8%,是目前极具应用前景的p型中温区热电发电材料。
很久以来,关于高锰硅的制备研究大多集中在HMS单晶材料和HMS多晶薄膜材料,而这两种材料均不利于实际应用。目前,为达到热电材料的实用化目标,很多学者开始进行高锰硅多晶块体材料的制备,主要包括热压、放电等离子烧结、快速凝固烧结等方法。通过元素(Ge,Cr)掺杂或置换,以及适当添加第二相形成复合物,如HSM/CeSi2,HMS/PbTe,HMS/Ag2Te,HMS/SiGe来提高材料的热电性能。但这些方法都没有大幅度改善材料的综合热电性能。这主要是由于高锰硅在合成过程中通常伴随有不可消除的包晶反应,出现第二相MnSi,而MnSi相具有良好的电、热传导特性,会对高锰硅材料的热电性能产生不利影响。
发明内容
本发明的目的在于解决高锰硅中MnSi相对热电性能的不利影响,提供一种高锰硅复合(HMS / MnSi)热电材料及其制备方法。
本发明所提供的一种高锰硅复合(HMS / MnSi)热电材料的组成为MnSi1.75+x%MnSi,其中,x=1~10wt%。
本发明采用熔炼,真空封管,退火,淬火,球磨结合放电等离子烧结(SPS)的方法制备高锰硅复合热电材料。具体步骤如下:
1)配料。在配料之前,将Mn片放入硝酸酒精溶液中酸洗去除其氧化层,酸洗后Mn片的纯度>99.7%。Si块的纯度>99.999%。
2)熔炼。将配比后的原料置于磁感应悬浮熔炼的水冷紫铜坩埚中。熔炼前炉中先抽真空至1Pa以下,再用氩气冲洗炉腔3遍,然后在氩气气氛下通电使炉料融化,熔炼3遍,每次熔炼时间1min。
3)退火。将热处理后的铸锭密封入真空石英管中,然后放入电阻炉中,按2.5℃/min的升温速率加热至退火温度850℃并保温24h。
4)淬火。保温结束后立即将石英管置于冰水混合物中淬火,随即取出置于液氮中继续降温,5~10min后将石英管取出,待恢复到室温后将石英管破碎,取出试样。
5)球磨。将热处理后的铸锭手工破碎至小颗粒,在氩气气氛下按球料比为20:1球磨1h,然后将球磨后的样品过孔径为0.15mm的分样筛得到粉末样品。
6)SPS烧结。将得到的粉末装入Φ20mm的石墨模具中,压实后置于SPS烧结腔体中,施加30~35MPa的轴向压力,在总气压低于5Pa的真空条件下烧结,以80~100℃/min的升温速率升温,烧结温度为900~950℃,保温5min,得到高锰硅块体热电材料。
与现有技术相比较,本发明具有以下有益效果:
热处理过程中保温过程使得高锰硅复合热电材料组织更加均匀且,快速降温的过程改变了MnSi相的形态及分布。所制备的高锰硅复合热电材料致密度高,成分均匀,经X射线衍射分析主相为高锰硅,含有少量的MnSi相。在测试温度范围(300~600℃)内表现为金属特性,热电性能相对于无热处理的方法有较大提升。本发明方法原材料成本低廉,工艺简单,易于实现,有良好的应用前景。
附图说明
图1、实施例1制备的复合高锰硅(MnSi1.75+1wt%MnSi)粉末与烧结后块体样品的X射线谱图。
图2、实施例2制备的复合高锰硅(MnSi1.75+3wt%MnSi)粉末与烧结后块体样品的X射线谱图。
图3、实施例3制备的复合高锰硅(MnSi1.75+5wt%MnSi)粉末与烧结后块体样品的X射线谱图。
图4、实施例4制备的复合高锰硅(MnSi1.75+5wt%MnSi)粉末与烧结后块体样品的X射线谱图。
图5、实施例1,实施例2,实施例3,实施例4得到的高锰硅复合材料块体经测试后的的电导率与温度关系图。
图6、实施例1,实施例2,实施例3,实施例4得到的高锰硅复合材料块体经测试后的的热电优值ZT与温度关系图。
图中1、2、3、4分别对应于实例1、2、3、4。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学,未经北京工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210224501.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。