[发明专利]气体内循环型热丝CVD金刚石膜生长装置无效
| 申请号： | 201210224334.8 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102719804A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 谢二庆;滕凤;龚成师;张鹏;张国志 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C16/48 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 李艳华 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 体内 循环 型热丝 cvd 金刚石 生长 装置 | ||
【权利要求书】：
1. 气体内循环型热丝CVD金刚石膜生长装置，其特征在于：该装置包括内设反应腔的密闭真空室；所述反应腔内壁顶端设有风扇（4），该风扇（4）的下方设有多根并排直钨丝构成的热丝阵列（1）；所述热丝阵列（1）的两端接直流电，其下方设有衬底盘（2），该衬底盘（2）上设有热电偶（3）；所述风扇（4）的侧上方的所述真空室外壁设有进气口（5）；所述真空室外壁侧下方设有抽气口（6）。
2.如权利要求1所述的气体内循环型热丝CVD金刚石膜生长装置，其特征在于：所述进气口（5）的进气流量和所述抽气口（6）的抽气流量均为0~200 sccm。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
