[发明专利]磁性随机存取存储器

权利要求书

1.一种磁性存储器，其特征在于，具备：

磁阻效应元件，具有根据自旋注入写入而磁化的方向不变的第1磁性层、磁化的方向可变的第2磁性层、以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的隧道势垒层；

第1布线，与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的一个磁性层电连接；

选择晶体管，该选择晶体管的源极/漏极中的一个与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的另一个电连接；

第2布线，与所述选择晶体管的源极/漏极中的另一个电连接；

二极管，该二极管的一个端子与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层以及所述第2磁性层中的另一个电连接；

第3布线，与所述二极管的另一端子电连接；以及

读出放大器，与所述第3布线电连接。

2.根据权利要求1所述的磁性存储器，其特征在于，

当所述磁阻效应元件的低电阻状态下的读出时的电阻设为R1、所述选择晶体管的读出时的电阻设为R2、所述二极管的读出时的导通电阻设为R3时，满足R3>R1且R2>R1的关系。

3.根据权利要求1所述的磁性存储器，其特征在于，

所述第1布线与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层电连接，所述二极管的阴极与所述磁阻效应元件的所述第2磁性层电连接。

4.根据权利要求1所述的磁性存储器，其特征在于，

所述第1布线与所述磁阻效应元件的所述第2磁性层电连接，所述二极管的阳极与所述磁阻效应元件的所述第1磁性层电连接。

5.根据权利要求1所述的磁性存储器，其特征在于，

写入是通过使电流在所述第1布线和所述第2布线双向地流动来进行的，

读出是通过使电流在所述第1布线与所述第2布线之间流动、并且使电流在所述第3布线与所述第2布线之间流动、并由所述读出放大器检测流过所述二极管的电流来进行的。

6.一种磁性存储器，其特征在于，具备：

第1磁阻效应元件，具有根据自旋注入写入而磁化的方向不变的第1磁性层、磁化的方向可变的第2磁性层、以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第1隧道势垒层；

第1布线，与所述第1磁阻效应元件的所述第1磁性层电连接；

第2磁阻效应元件，具有根据自旋注入写入而磁化的方向不变的第3磁性层、磁化的方向可变且与所述第2磁性层电连接的第4磁性层、以及设置在所述第3磁性层与所述第4磁性层之间的第2隧道势垒层；

选择晶体管，该选择晶体管的源极/漏极中的一个与所述第2磁阻效应元件的所述第3磁性层电连接；

第2布线，与所述选择晶体管的源极/漏极中的另一个电连接；

二极管，该二极管的一个端子与所述第1磁阻效应元件的所述第2磁性层电连接；

第3布线，与所述二极管的另一端子电连接；以及

读出放大器，与所述第3布线电连接。

7.根据权利要求6所述的磁性存储器，其特征在于，

写入是通过使电流在所述第1布线和所述第2布线双向地流动来进行的，

读出是通过使电流在所述第1布线与所述第2布线之间流动、并且使电流在所述第3布线与所述第2布线之间流动、并由所述读出放大器检测流过所述二极管的电流来进行的。