[发明专利]一种可进行透明不透明转换的显示器

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光显示器技术领域，特别涉及一种可在两种模式下显示的显示器。

背景技术

透明显示是下一代显示技术的发展趋势，它应用广泛，可以用在手机，笔记本，显示器，橱窗等。

如图1所示，为一种透明有源矩阵有机发光显示器的像素结构示意图，其可分为两个区域，第一个区域为显示区，第二个区域为透光区4，所述的显示区由R子像素1，G子像素2，B子像素3构成，用于负责显示这个像素的颜色和灰阶。所示的透光区4没有挡光的金属层，可以让背景光透过。

如图2所示，为一种透明有机发光显示器的剖面图。其包括阵列基板5、缓冲层6、多晶硅层7、第一绝缘层8、栅极9、第二绝缘层10、源漏层11、第三绝缘层12、阳极13、像素限定层14、有机发光层15、阴极16及封装17，其中，19是有机发光显示器子像素发出的光，18是背景光透射过来的光，所以，透明显示既可以显示图像，又可以透过显示器看到对面的物体。该显示器的制作步骤如下：

首先在阵列基板5（玻璃等）上依次沉积一缓冲层6，通常为氮化硅、氧化硅等材料，接着继续沉积一半导体层，一般为非晶硅层（a-Si）。对非晶硅层采用准分子激光退火（ELA）、固相晶化（SPC）或金属诱导结晶（MIC）等方法，将其转化成多晶硅层（P-S i）。然后采用光刻的方法，在多晶硅层7上形成硅岛。接着，采用化学气相沉积（CVD）的方法，在硅岛和未被覆盖的缓冲层上沉积栅绝缘层8。接着,在栅绝缘层上溅射第一金属层，采用光刻的方法分别形成开关TFT和驱动TFT的栅极9，接着采用CVD的方法形成层间绝缘层10。在TFT栅极两侧采用光刻的方法在删绝缘层和层间绝缘层上形成接触。在层间绝缘层上沉积源漏层11，并采用光刻的方法形成图形。其中，TFT的源漏极通过接触孔与多晶硅层电气连接，接着，采用CVD的方法沉积钝化绝缘层12。采用光刻的方法，在TFT的漏极处形成接触孔。接着采用溅射的方法，形成一阳极电极层，并采用光刻的方法，形成OLED发光单元的阳极层13，透明阳极层通过接触孔与TFT的漏极电气连接。接着，在阵列基板表面涂布光刻胶，并采用曝光显影的方法，形成发光单元的像素限定层14。

接着，用蒸镀的方法在阳极上形成有机发光层15和阴极16。封装17可以采用蒸镀的方法，也可以采用粘合玻璃的封装盖的方法来做封装。

但是，透明显示的优点有时也可看作他的缺点，比如用在显示器上，对面的人会很清晰的看到你的表情，动作，私密性不好等，同时，业界也研发出一种可进行透光不透光显示的显示器，这种显示器是通过选择液晶盒来实现的，但由于液晶盒制作成本过高和盒厚过厚，又存在液晶响应速度慢及大型化等问题，制作出的产品无论从价格，产品性能，外观的美观度都不能满足客户需要。

同时，现有技术的显示器均是外接电源，十分耗电，也不符合现行的节约环保的要求。

因此，如何将上述技术问题加以解决，设计一种能满足客户需要的显示器，即为本领域技术人员的研究方向所在。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种可进行透明不透明转换的显示器，其通过设置一调光薄膜，该调光薄膜通过一调整电压模块控制，使显示器进行透明不透明转换。

本发明的次一目的是提供一种可进行透明不透明转换的显示器，其通过在显示器上装设有透明太阳能电池薄膜，可用于实现对显示器自供电。

为了达到上述目的，本发明提供一种可进行透明不透明转换的显示器，其包括：一阵列基板，在所述的阵列基板的一侧面上设有缓冲层、多晶硅层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源漏层、第三绝缘层、阳极、像素限定层、有机发光层、阴极及封装，，其特征在于，还包括一调光薄膜，其设置于阵列基板的另一侧面上，所述的调光薄膜通过一调整电压模块控制，使显示器进行透明不透明转换。

较佳的实施方式，所述的调光薄膜由两张聚对苯二甲酸乙二酯薄膜及一矩阵树脂构成，所述的矩阵树脂夹在所述聚对苯二甲酸乙二酯薄膜中间。

较佳的实施方式，所述的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜涂布有透明导电层。

较佳的实施方式，所述的矩阵树脂内散布密封有配向粒子的微胶囊。

较佳的实施方式，所述的调光薄膜由两层塑胶型高分子膜及高分子颗粒构成，所述的两层塑胶型高分子膜之间夹有所述的高分子颗粒。

较佳的实施方式，所述的塑胶型高分子膜涂布有透明导电薄膜表层。

较佳的实施方式，在所述显示器的发光面或四周装有透明太阳能电池薄膜，用于实现对显示器自供电。

较佳的实施方式，所述的封装为薄膜封装或封装盖封装。