[发明专利]数据保护方法和系统

说明书

技术领域

本发明涉及计算机技术领域，尤其涉及一种数据保护方法和系统。

背景技术

目前的固态硬盘的存储通常使用的都是Nand Flash，由于Nand Flash自身的特点，必须为Nand Flash提供FTL(Flash Translation Layer，闪存转换层)数据表，FTL通常需要各种各样的表，为了提高工作的效率，工作时这些表一般都存储在易失性的存储器RAM(random access memory，随机存储器)中，掉电时需要将这些表及时的写入Nand Flash中进行保存。FTL的表通常都比较大，在掉电时将它们完全写入Nand Flash需要较长的时间。

现有技术解决该问题可以分为两类方法：一类是在向Nand Flash写入用户数据的同时，附带将相关信息(一般称为原数据)写入，掉电时不管RAM中的FTL的表，下次上电时再遍历整个Nand Flash空间，恢复FTL的表。这种方法在异常掉电后的第一次上电需要的时间非常长，由于固态硬盘容量的不同，通常需要几分钟甚至几个小时的恢复时间。

另一类是利用大容量储能器件，存储大量的能量，在掉电时延迟固态硬盘的掉电时间，利用这段时间将FTL的表写入Nand Flash。根据具体FTL表的大小，通常需要延迟掉电时间几十ms甚至几秒时间。因此需要很大容量的储能器件，占用大量的固态硬盘空间。

综上可知，现有的固态硬盘的数据掉电保护技术，在实际使用上显然存在不便与缺陷，所以有必要加以改进。

发明内容

针对上述的缺陷，本发明的目的在于提供一种数据保护方法和系统，使固态硬盘掉电时缩短保护数据的写入时间及上电后FTL数据表的恢复时间。

为了实现上述目的，本发明提供一种数据保护方法，应用于固态硬盘，所述方法包括：

在用于存储闪存转换层数据表的易失性存储器中建立一存储区域，当所述闪存转换层数据表有更新时，所述存储区域存储所述闪存转换层数据表的更新记录；

当所述更新记录达到第一预设单元值时，将所述更新记录写入非易失性存储器；

当所述更新记录达到第二预设单元值时，将最新的所述闪存转换层数据表写入所述非易失性存储器。

根据本发明的数据保护方法，所述易失性存储器为随机存储器，所述非易失性存储器包括Flash阵列。

根据本发明的数据保护方法，所述第一预设单元值为一个Flash page，所述更新记录的Flash page按时间顺序排列。

根据本发明的数据保护方法，所述方法还包括：所述固态硬盘掉电时，将所述易失性存储器中的最后一个Flash page的更新记录写入所述非易失性存储器。

根据本发明的数据保护方法，所述方法还包括：所述固态硬盘上电时，将所述非易失存储器中的闪存转换层数据表读取到所述易失性存储器，再根据所述非易失性存储器中的更新记录更新所述易失性存储器中的闪存转换层数据表。

本发明还提供一种数据保护系统，应用于固态硬盘，所述系统包括储能元件、易失性存储器、非易失性存储器及掉电保护控制器，

所述易失性存储器储存有闪存转换层数据表，且所述易失性存储器还具有一存储区域，用于当所述闪存转换层数据表有更新时，存储所述闪存转换层数据表的更新记录；

所述掉电保护控制器用于：

所述更新记录达到第一预设单元值时，将所述更新记录写入所述非易失性存储器；

所述更新记录达到第二预设单元值时，将最新的所述闪存转换层数据表写入所述非易失性存储器；

所述储能元件用于在所述固态硬盘掉电时，为所述固态硬盘供电。

根据本发明的数据保护系统，所述易失性存储器为随机存储器，所述非易失性存储器包括Flash阵列。

根据本发明的数据保护系统，所述第一预设单元值为一个Flash page，所述更新记录的Flash page按时间顺序排列。

根据本发明的数据保护系统，所述掉电保护控制器还用于在所述固态硬盘掉电时，将所述易失性存储器中的最后一个Flash page的更新记录写入所述非易失性存储器。

根据本发明的数据保护系统，所述掉电保护控制器还用于在所述固态硬盘上电时，将所述非易失存储器中的闪存转换层数据表读取到所述易失性存储器，再根据所述非易失性存储器中的更新记录更新所述易失性存储器中的闪存转换层数据表。