[发明专利]雪崩光电二极管最佳工作偏压的调优算法

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管最佳工作偏压的调优算法，其特征在于，该调优算法包括如下步骤：

第一步：确定最优输入光功率；

第二步：在最优输入光功率下，扫描APD偏压，直到最小BER对应的偏压即为APD最佳工作偏压。

2.如权利要求1所述的雪崩光电二极管最佳工作偏压的调优算法，其特征在于，所述第一步中确定最优输入光功率包括步骤：

设置APD偏压初始值Vapd0和输入光功率初始值；

保持偏压Vapd0，自动调整输入光功率，直到比特误差率BER在标准BER范围内。

3.如权利要求2所述的雪崩光电二极管最佳工作偏压的调优算法，其特征在于，所述标准BER范围是：BER≥5E-04且BER≤5E-03。

4.如权利要求2所述的雪崩光电二极管最佳工作偏压的调优算法，其特征在于，所述自动调整输入光功率的方法是：

当前输入功率=初始输入光功率；

在偏压初始值Vapd0和当前输入光功率下进行BER测试，如果BER>5E-03，则逐渐增大输入光功率,直至BER≤5E-03;如果BER<5E-04，逐渐减小输入光功率,直至BER≥5E-04。

5.如权利要求4所述的雪崩光电二极管最佳工作偏压的调优算法，其特征在于，如果BER>5E-03，逐渐增大输入光功率,直至BER≤5E-03的具体操作是：当前输入光功率=当前输入光功率+光功率步进，在偏压初始值Vapd0和当前输入光功率下进行BER测试，如果BER>5E-03，则循环执行本操作；

如果BER<5E-04，逐渐减小输入光功率,直至BER≥5E-04的具体操作是：当前输入光功率=当前输入光功率-光功率步长，在偏压初始值Vapd0和当前输入光功率下进行BER测试，如果BER<5E-04，则循环执行本操作。

6.如权利要求5所述的雪崩光电二极管最佳工作偏压的调优算法，其特征在于，所述光功率步进为0.2dbm或0.5dbm或1dbm。

7.如权利要求5所述的雪崩光电二极管最佳工作偏压的调优算法，其特征在于，所述光功率步长是可变的,随着 BER偏离5E-04越远，光功率步长取值越大。

8.如权利要求1所述的雪崩光电二极管最佳工作偏压的调优算法，其特征在于，所述第二步中在最优输入光功率下，扫描APD偏压，找出APD最佳工作偏压的步骤包括：

步骤a：设置Vapd1=Vapd0-偏压调节值； 

步骤b：扫描APD偏压，进行BER测试；

步骤c：如果BER_Vapd1＜BER_Vapd0，则逐渐减小APD偏压,直至找出最小BER对应的最优偏压Vopt; 如果BER_Vapd1＞BER_Vapd0，则逐渐增大APD偏压,直至找出最小BER对应的最优偏压Vopt, 其中，BER_Vapd1表示偏压为Vapd1时对应的BER，BER_Vapd0表示偏压为Vapd0时对应的BER。

9.如权利要求8所述的雪崩光电二极管最佳工作偏压的调优算法，其特征在于，所述步骤a中所述偏压调节值为0.2V或0.4V或0.6V或1V。