[发明专利]像素驱动电路、像素显示单元和显示电路有效

专利信息
申请号: 201210222093.3 申请日: 2012-06-29
公开(公告)号: CN102737581A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 胡思明;邱勇;黄秀颀;高孝裕;永井肇 申请(专利权)人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 寇海侠
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 像素 驱动 电路 显示 单元
【权利要求书】:

1.一种像素驱动电路,其特征在于,还包括:

第一扫描线,与数据传输场效应晶体管T4的栅极、耦合电容C2的负极和采样控制场效应晶体管T3的栅极相连,耦合电容C2的正极与保持电容C1的正极相连;所述采样控制场效应晶体管T3采样控制驱动场效应晶体管T1的阈值电压Vth;

第二扫描线,与基准电压传输场效应晶体管T5的栅极和发光控制场效应晶体管T2的栅极相连;

数据线,与数据传输场效应晶体管T4的源极或漏极相连,所述数据传输场效应晶体管T4的漏极或源极、所述保持电容C1的负极和所述基准电压传输场效应晶体管T5的漏极或源极相连;所述传输场效应晶体管T4控制传输所述数据线上的数据;所述基准电压传输场效应晶体管T5的源极或漏极与基准电压输入线VREF相连,所述基准电压传输场效应晶体管T5控制传输所述基准电压输入线VREF上的基准电压;

驱动场效应晶体管T1,其栅极、保持电容C1的正极和采样控制场效应晶体管T3的漏极或源极相连;所述驱动场效应晶体管T1的源极或漏极、采样控制场效应晶体管T3的源极或漏极和所述发光控制场效应晶体管T2的漏极或源极相连,所述驱动场效应晶体管T1漏极或源极构成所述像素驱动电路的第一连接端;所述发光控制场效应晶体管T2源极或漏极构成所述像素驱动电路的第二连接端。

2.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于:所述保持电容C1为TFT电容。

3.根据权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于:所述耦合电容C2为TFT电容,其中TFT电容指将TFT的源极和漏极短接在一起形成的电容。

4.根据权利要求3所述的像素驱动电路,其特征在于:所述场效应晶体管均为TFT。

5.根据权利要求5所述的像素驱动电路,其特征在于:所述TFT均为P型TFT。

6.一种像素显示单元,其特征在于:使用如权利要求1-5任一所述的像素驱动电路,还包括一个直流电致发光器件和一个电源;其中,所述像素驱动电路的第一连接端与电源的正极相连;所述像素驱动电路的第二连接端与所述对应直流电致发光器件的正极相连,所述直流电致发光器件的负极接地。

7.根据权利要求6所述的像素显示单元,其特征在于:所述直流电致发光器件包括OLED、LED和电阻式灯泡中的任意一种。

8.一种显示电路,其特征在于:包括如权利要求6或7所述的像素显示单元。

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