[发明专利]超低介电材料的化学机械抛光方法

权利要求书

1.一种超低介电材料的化学机械抛光方法，包括如下步骤：

提供一基底层，在所述基底层上由下至上依次沉积第一介质阻挡层、第一介电层；

采用碳氢化合物气体等离子体化学气相沉积工艺处理第一介电层的表面形成第一碳层；

采用蚀刻工艺由上至下依次蚀刻第一碳层、第一介电层和第一介质阻挡层，在第一碳层、第一介电层和第一介质阻挡层中形成第一沟槽，并在第一沟槽的侧壁上形成第一扩散阻挡层后，再进行金属沉积，形成第一沟槽电镀铜，对上述结构进行化学机械抛光工艺，并停止在第一碳层的表面上，再在第一碳层和第一沟槽电镀铜的表面上由下至上依次沉积第二介质阻挡层、第二介电层；

采用碳氢化合物气体等离子体化学气相沉积工艺处理第二介电层的表面形成第二碳层；

采用蚀刻工艺由上至下依次蚀刻第二碳层、第二介电层、第二介质阻挡层，自上而下形成相连通的第一通孔和第二沟槽；

在第一通孔的侧壁和第二沟槽的内表面以及第二碳层上沉积第二扩散阻挡层；

在第二扩散阻挡层上进行金属沉积直至第一通孔和第二沟槽中填满金属为止，形成第一通孔电镀铜和第二沟槽电镀铜；

对上述结构进行化学机械抛光工艺，并停止在第二碳层表面上。

2.根据权利要求1所述的超低介电材料的化学机械抛光方法，其特征在于：所述碳氢化合物气体等离子体化学气相沉积工艺的工作压力为3托至8托，反应温度为200摄氏度至400摄氏度，反应气体为CxHy与He，其中，He与CxHy的气体流量比为10至100。

3.根据权利要求1所述的超低介电材料的化学机械抛光方法，其特征在于：所述第一碳层和第二碳层的厚度均为至

4.根据权利要求1所述的超低介电材料的化学机械抛光方法，其特征在于：在第一沟槽的侧壁上形成第一扩散阻挡层的步骤中，还在第一碳层上形成第一扩散阻挡层。

5.根据权利要求1所述的超低介电材料损伤的处理方法，其特征在于：处理第一介电层的表面形成第一碳层的步骤和处理第二介电层的表面形成第二碳层的步骤采用的工艺为碳氢化合物气体热分解反应工艺。

6.根据权利要求5所述的超低介电材料损伤的处理方法，其特征在于：所述碳氢化合物气体热分解反应工艺的工作压力为30托至650托，反应温度为250摄氏度至400摄氏度。

7.根据权利要求1所述的超低介电材料的化学机械抛光方法，其特征在于：所述第一扩散阻挡层和所述第二扩散阻挡层的形成采用物理气相沉积工艺。

8.根据权利要求1所述的超低介电材料的化学机械抛光方法，其特征在于：所述金属沉积采用电镀工艺。