[发明专利]半导体器件、制造半导体器件的方法以及电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

漏极层，所述漏极层形成到所述半导体衬底并且位于所述半导体衬底的背面侧上；

栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜形成在于所述半导体衬底的表面形成的凹部的内壁上；

栅电极，所述栅电极掩埋在所述凹部中并且所述栅电极的上端低于所述半导体衬底的表面；

源极层，所述源极层形成到所述半导体衬底的表面侧上；

第一绝缘膜，所述第一绝缘膜形成在所述栅电极之上，并且该膜的上表面高于所述半导体衬底的表面；以及

低透氧绝缘膜，所述低透氧绝缘膜形成在所述第一绝缘膜之上并且具有比所述第一绝缘膜的透氧性低的透氧性。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述低透氧绝缘膜为SiN膜、SiC膜和SiCN膜中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述低透氧绝缘膜为SiN膜并且其厚度为6nm或更大并且7nm或更小。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一绝缘膜为NSG（非掺杂硅酸盐玻璃）膜和SOG（旋涂玻璃）膜中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中设置第二绝缘膜，所述第二绝缘膜形成在所述低透氧绝缘膜之上并且具有比所述低透氧绝缘膜的透氧性高的透氧性。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中所述第二绝缘膜为NSG膜、BPSG膜和SOG膜中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一绝缘膜也形成在所述栅电极之上和位于所述栅电极周围的所述半导体衬底之上，并且在位于所述栅电极上方的所述第一绝缘膜的表面与位于所述半导体衬底上方的所述第一绝缘膜的表面之间的垂直差为100nm或更小。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

将凹部形成到半导体衬底的表面，所述半导体衬底在背面侧上具有漏极层；

在所述凹部的内壁上形成栅极绝缘膜；

将栅电极掩埋在所述凹部中，使得所述栅电极的上端低于所述半导体衬底的表面；

将源极层形成到所述半导体衬底的表面侧上；

形成第一绝缘膜，该膜的上表面高于所述半导体衬底的表面；

在所述第一绝缘膜之上形成低透氧绝缘膜，所述低透氧绝缘膜具有比所述第一绝缘膜的透氧性低的透氧性；以及

从所述低透氧绝缘膜上方并且从所述半导体衬底上方执行利用氧化气氛的处理。

9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，

其中所述低透氧绝缘膜为SiN膜、SiC膜和SiCN膜中的至少一种。

10.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第一绝缘膜为NSG（非掺杂硅酸盐玻璃）膜和SOG（旋涂玻璃）膜中的至少一种。

11.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，

其中所述方法在形成所述低透氧绝缘膜的步骤之后，包括在所述低透氧绝缘膜之上形成第二绝缘膜的步骤，其中所述第二绝缘膜具有比所述低透氧绝缘膜的透氧性高的透氧性。

12.根据权利要求11所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第二绝缘膜为NSG（非掺杂硅酸盐玻璃）膜、BPSG（硼磷硅酸盐玻璃）膜和SOG（旋涂玻璃）中的至少一种。

13.一种电子装置，所述电子装置具有半导体器件，所述半导体器件用于控制到负载的电源供给，所述负载由从所述电源提供的电力驱动，

其中所述半导体器件包括：

半导体衬底；

漏极层，所述漏极层形成到所述半导体衬底并且位于所述半导体衬底的背面侧上；

栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜形成在于所述半导体衬底中形成的凹部的内壁上；

栅电极，所述栅电极掩埋在所述凹部中并且所述栅电极的上端低于所述半导体衬底的表面；

源极层，所述源极层形成到所述半导体衬底的表面侧上；

第一绝缘膜，所述第一绝缘膜形成在所述栅电极之上，该膜的上表面高于所述半导体衬底的表面；

低透氧绝缘膜，所述低透氧绝缘膜具有比所述第一绝缘膜的透氧性低的透氧性；以及

层间绝缘膜，所述层间绝缘膜形成在所述低透氧绝缘膜之上和所述半导体衬底之上。