[发明专利]硅膜的形成方法及其形成装置

权利要求书

1.一种硅膜的形成方法，其特征在于，在表面形成有槽的被处理体的槽中形成硅膜，具备：

第1成膜工序，以填埋所述被处理体的槽的方式形成不掺杂杂质的非掺杂硅膜，

蚀刻工序，对在所述第1成膜工序中被形成的非掺杂硅膜进行蚀刻，

掺杂工序，对在所述蚀刻工序中被蚀刻的非掺杂硅膜掺杂杂质，

第2成膜工序，以填埋在所述掺杂工序中被掺杂的硅膜的方式形成掺杂有杂质的硅膜。

2.根据权利要求1所述的硅膜的形成方法，其特征在于，

所述第1成膜工序中，以具有开口部的方式形成非掺杂硅膜，

所述蚀刻工序中，以扩大所述非掺杂硅膜的开口部的方式对该非掺杂硅膜进行蚀刻，

所述掺杂工序中，对开口部被扩大的非掺杂硅膜掺杂杂质，

所述第2成膜工序中，以填埋被掺杂的硅膜的开口部的方式形成掺杂有杂质的硅膜。

3.根据权利要求1所述的硅膜的形成方法，其特征在于，还具备在所述被处理体的表面形成晶种层的晶种层形成工序，

所述第1成膜工序中，在所述晶种层上形成非掺杂硅膜。

4.根据权利要求1所述的硅膜的形成方法，其特征在于，还具备除去形成于所述被处理体的槽的底部的自然氧化膜的自然氧化膜除去工序。

5.根据权利要求1所述的硅膜的形成方法，其特征在于，所述掺杂工序中进行掺杂的杂质和掺杂于所述第2成膜工序中形成的硅膜的杂质具有包含P或B的杂质和选自C、O、N中的一个以上的杂质。

6.根据权利要求1所述的硅膜的形成方法，其特征在于，将所述第1成膜工序、所述蚀刻工序以及掺杂工序多次重复后，执行所述第2成膜工序。

7.根据权利要求1所述的硅膜的形成方法，其特征在于，在反应室内收容有所述被处理体的状态下，连续进行所述第1成膜工序、所述蚀刻工序、掺杂工序以及所述第2成膜工序。

8.一种硅膜的形成装置，其特征在于，在表面形成有槽的被处理体的槽中形成硅膜，具备：

第1成膜单元，以填埋所述被处理体的槽的方式形成不掺杂杂质的非掺杂硅膜，

蚀刻单元，对在所述第1成膜单元中形成的非掺杂硅膜进行蚀刻，

掺杂单元，对在所述蚀刻单元中被蚀刻的非掺杂硅膜掺杂杂质，

第2成膜单元，以填埋在所述掺杂单元中被掺杂的硅膜的方式形成掺杂有杂质的硅膜。

9.根据权利要求8所述的硅膜的形成装置，其特征在于，

所述第1成膜单元以具有开口部的方式形成非掺杂硅膜，

所述蚀刻单元以扩大所述非掺杂硅膜的开口部的方式对该非掺杂硅膜进行蚀刻，

所述掺杂单元对开口部被扩大的非掺杂硅膜掺杂杂质，

所述第2成膜单元以填埋被掺杂的硅膜的开口部的方式形成掺杂有杂质的硅膜。

10.根据权利要求8所述的硅膜的形成装置，其特征在于，还具备在所述被处理体的表面形成晶种层的晶种层形成单元，

所述第1成膜单元在所述晶种层上形成非掺杂硅膜。

11.根据权利要求8所述的硅膜的形成装置，其特征在于，还具备除去形成于所述被处理体的槽的底部的自然氧化膜的自然氧化膜除去单元。

12.根据权利要求8所述的硅膜的形成装置，其特征在于，在所述掺杂单元中进行掺杂的杂质和掺杂于在所述第2成膜单元中形成的硅膜的杂质具有包含P或B的杂质和选自C、O、N中的一个以上的杂质。