[发明专利]内嵌伪SRAM的LCD控制驱动电路无效

专利信息
申请号: 201210217457.9 申请日: 2012-06-28
公开(公告)号: CN103514827A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 李煜文 申请(专利权)人: 上海摩晶电子科技有限公司
主分类号: G09G3/18 分类号: G09G3/18;G09G3/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200235 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 内嵌伪 sram lcd 控制 驱动 电路
【说明书】:

技术领域

发明用于LCD控制驱动电路的设计,提出了一种内嵌伪SRAM的LCD控制驱动电路的设计方法,即:通过用基于存储单元类似DRAM单元的伪SRAM 替代传统SRAM,可节省硅面积并降低成本。

背景技术

在小尺寸的LCD控制驱动电路中,需要内置SRAM,用来作显示数据的缓和存储。随着便携电子产品显屏尺寸的增大和清晰度的提高,内置SRAM的容量要求越来越高。以QVGA (320X240像素,RGB18位色清晰度)为例,所需缓冲区为14M。这意味着LCD控制器的相当一部分面积被SRAM占用。而且,LCD控制驱动电路一般由于高压等原因,选用较老线宽较大的工艺,这意味着SRAM所占面积是昂贵的。

发明内容

本发明采用基于存储单元类似DRAM单元的伪SRAM替代传统SRAM节省硅面积,降低成本。其基本原理是:1) 在DRAM 周边加设逻辑电路,使其读写操作相当于SRAM的读写操作;2) 增设刷新控制(自动REFRESH CONTROL)电路,对DRAM电路进行自动刷新。

附图说明

图1是使用SRAM的LCD控制驱动电路典型的框图。

图2是本发明之LCD控制驱动电路典型的框图, 主要增加了刷新控制电路。

具体实施方式

本发明之电路的实现可以参考通常伪SRAM及其刷新的设计方法。存储电容可以由嵌入DRAM工艺的专用电容或MOS电容充当存储器件. 按显示数据处理的需要,可选用对称或不对称的读写开关(PASSGATE),制成多端口的伪SRAM。

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