[发明专利]一种山药的培植法

说明书

技术领域

本发明涉及一种药用植物的种植方法，属于农业种植领域，具体地说是一种山药的培植法。

背景技术

薯蓣，通称山药。多年生草本植物，茎蔓生，常带紫色，块根圆柱形，叶子对生，卵形或椭圆形，花乳白色，雌雄异株；喜光，耐寒性差。宜在排水良好、疏松肥沃的壤土中生长。忌水涝。地下茎为圆柱形，也可能因为生长地质不同而变形，肉质，肥厚。块根含淀粉和蛋白质，因其营养丰富，自古以来就被视为物美价廉的补虚佳品，既可作主粮，又可作蔬菜。

据生产调查，山药的田间块茎繁殖系数一般为10倍左右，田间品种混杂程度高达40％，严重影响到优良品种的大规模应用和药材品质的一致性和稳定性。山药的种植应尽量避免重茬，一般隔三年轮作一次，并忌种花生、红芋茬。要选择土层深厚疏松肥沃的地块为好，要求上下土质一致，如下层有粘重土层和白沙岗土层，打沟时应彻底打碎，至少1～1.2米土层内不能有粘土、土沙粒等夹层。否则会影响块茎的外观，对品质也有影响。土壤以中性为宜，目前开沟一般都采用机械开沟。

生产上，山药品种混杂严重，造成栽培技术体系规范化程度不高；而长期以来一直采用块茎繁育的无性繁殖方法进行繁殖，繁殖系数低，严重阻碍了良种推广。

发明内容

本发明的目的在于提供一种山药的培植法，采用该方法能获得大量的山药。

为实现上述目的，本发明所述一种山药的培植法，其特征在于：包括以下步骤：

一、将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的山药块放入生化培养箱进行催芽，直至从山药上萌发的芽眼长成0.2～0.4cm高的小芽、或者待全部的芽眼完全萌发；培养条件为：26～28℃暗培养；

二、将上述带芽的山药切割成长×宽×高为0.2cm～0.5cm×0.2cm～0.5cm×0.1cm～0.2cm的带芽块茎；将上述带芽块茎经常规消毒后，接种到含有活性炭的MS培养基上进行培养；培养条件为：16h光照，光照强度10～30umol m^-2.s^-1，温度为26～28℃；8h暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行；

三、待上述带芽块茎上的小芽长成至0.5～1.5cm高的小苗时，割取上述小苗；

四、将上述小苗接种到诱导块茎培养基上进行培养；培养条件为：16h光照，光照强度10～30u mol m^-2.s^-1，温度为26～28℃；8h暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行；

五、待上述小苗长成至最小处直径为0.2～0.5cm的类球形小块茎时，将上述类球形小块茎接种到块茎增殖培养基使其生长，直至长成所需的规格；生长条件为：16h光照，光照强度10～30umolm^-2.s^-1，温度为26～28℃；8h暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行。

六、待步骤三所得的带芽块茎重新长出0.5～1.5cm高的小苗时，割取上述小苗；并重复依次进行步骤四和步骤五。

所述步骤二中的含有活性炭的MS培养基为：MS基本培养基+2～3％焦糖+0.5～0.9％琼脂+0.05～0.2％活性炭，pH为5.5～6.0。

所述含有活性炭的MS培养基的制作方法具体如下：以MS基本培养基作为基础，分别加入糖、琼脂和活性炭，均匀混合，利用1mol/L的KOH或1mol/L的HC1调节pH为5.5～6.0；每1L的MS基本培养基中加20～30g糖、5～9g琼脂和0.5～2.0g活性炭。

作为本发明的山药的培植法的进一步改进，步骤4)中的诱导块茎培养基为：MS基本培养基+0.01～0.5mg/1萘乙酸+2～3％糖+0.5～0.9％琼脂+0.05～0.2％活性炭，pH为5.5～6.0。

上述诱导块茎培养基的制作方法具体如下：以MS基本培养基作为基础，分别加入萘乙酸(NAA)、糖、琼脂和活性炭，均匀混合，利用1mol/L的KOH或1mol/L的HC1调节pH为5.5～6.0；每1L的MS基本培养基加入0.01～0.5mgNAA、20～30g糖、5～9g琼脂和0.5～2.0g活性炭。

作为本发明的山药的培植法的进一步改进，步骤五中的块茎增殖培养基为：1/2MS基本培养基+0.01～0.5mg/1NAA+2～3％糖+0.5～0.9％琼脂+0.05～0.2％活性炭，pH为5.5～6.0。