[发明专利]双界面智能卡芯片工作状态管理方法和装置有效
申请号: | 201210216937.3 | 申请日: | 2012-06-27 |
公开(公告)号: | CN102799393A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 张祥杉;李紫金 | 申请(专利权)人: | 大唐微电子技术有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 栗若木;曲鹏 |
地址: | 100094*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 界面 智能卡 芯片 工作 状态 管理 方法 装置 | ||
1.一种双界面智能卡芯片工作状态管理方法,其特征在于,包括:
接收指示信号,所述指示信号指示所述双界面智能卡芯片的静态随机存储器(SRAM)的工作模式;
所述双界面智能卡芯片启动所述指示信号指示的工作模式。
2.根据权利要求1所述的双界面智能卡芯片工作状态管理方法,其特征在于,该方法还包括:
设置所述SRAM的工作模式和启动条件。
3.根据权利要求2所述的双界面智能卡芯片工作状态管理方法,其特征在于,所述设置所述SRAM的工作模式和启动条件包括:
设置与有接触式接口相匹配的第一工作模式,所述第一工作模式的启动条件为所述指示信号内携带有指示启动所述第一工作模式的标识信号;
设置与非接触式接口相匹配的第二工作模式,所述第二工作模式的启动条件为所述指示信号内携带有指示启动所述第二工作模式的标识信号。
4.根据权利要求3所述的双界面智能卡芯片工作状态管理方法,其特征在于,所述设置与有接触式接口相匹配的第一工作模式具体为:
将所述SRAM设置为高读写速度模式,具体为50MHz及以上的读写速度模式,在该模式下的平均电流在3mA-4mA内。
5.根据权利要求3所述的双界面智能卡芯片工作状态管理方法,其特征在于,所述设置与非接触式接口相匹配的第二工作模式具体为:
将所述SRAM设置为中低读写速度模式,具体为25MHz的读写速度模式,在该模式下的平均电流为0.8mA。
6.一种双界面智能卡芯片工作状态管理装置,其特征在于,包括:
信号接收模块,用于接收指示信号,所述指示信号指示所述双界面智能卡芯片的SRAM的工作模式;
工作模式启动模块,用于所述双界面智能卡芯片启动所述指示信号指示的工作模式。
7.根据权利要求6所述的双界面智能卡芯片工作状态管理装置,其特征在于,该装置还包括:
设置模块,用于设置所述SRAM的工作模式和启动条件。
8.根据权利要求7所述的双界面智能卡芯片工作状态管理装置,其特征在于,所述设置模块包括:
第一设置单元,用于设置与有接触式接口相匹配的第一工作模式,所述第一工作模式的启动条件为所述指示信号内携带有指示启动所述第一工作模式的标识信号;
第二设置单元,用于设置与非接触式接口相匹配的第二工作模式,所述第二工作模式的启动条件为所述指示信号内携带有指示启动所述第二工作模式的标识信号。
9.根据权利要求8所述的双界面智能卡芯片状态管理装置,其特征在于,所述第一设置单元具体用于将所述SRAM设置为高读写速度模式。
10.根据权利要求8所述的双界面智能卡芯片状态管理装置,其特征在于,所述第二设置单元具体用于将所述SRAM设置为中低读写速度模式。
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