[发明专利]栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.一种栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管，包括衬底层（1）、缓冲层（2）、势垒层（3）、源极（4）、栅极（5）、漏极（6）、钝化层（7）和源场板（8）；其特征在于还包括栅漏区的凹槽（9），所述栅漏区凹槽（9）是在栅漏区沿栅极（5）边缘、而在势垒层（3）上刻蚀形成的沟槽，所述沟槽沿栅宽方向。

2.根据权利要求1所述的栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管，其特征在于所述栅漏区凹槽（9）的一个侧壁与漏极一侧的栅极边缘对齐，另一个侧壁位于栅极与漏极之间的势垒层中。

3.根据权利要求1或2所述的栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管，其特征在于所述栅漏区凹槽（9）深度小于势垒层厚度。

4.根据权利要求1或2所述的栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管，其特征在于所述栅漏区凹槽（9）中填充空气、或二氧化硅（SiO₂）、或氮化硅（SiN）、或三氧化二铝（Al₂O₃）、或二氧化铪（HfO₂）。

5.根据权利要求1或2所述的栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管，其特征在于所述栅漏区凹槽（9）为方形结构。

6.根据权利要求1或2所述的栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管，其特征在于所述栅漏区凹槽（9）为梯形结构。

7.根据权利要求1或2所述的栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管，其特征在于所述栅漏区凹槽（9）为阶梯形结构。