[发明专利]电压控制电路

权利要求书

1.一种电压控制电路，其特征在于，包含：

一增益放大模块，根据一输入信号产生一放大信号；

一电压钳制模块，耦合于该增益放大模块，钳制该放大信号的电位于一预定范围内，以产生一电压钳制信号；及

一增益控制模块，耦合于该电压钳制模块，用来根据一选择信号及该电压钳制信号，产生一输出信号。

2.根据权利要求1所述的电压控制电路，其特征在于，该电压钳制模块包含：

一电容，其一第一端耦接于该增益放大模块，以接收该放大信号；及

一上限电压钳制模块，其一端耦接于该电容的一第二端，以使该放大信号的电位受限于一上限电位。

3.根据权利要求2所述的电压控制电路，其特征在于，该上限电压钳制模块包含：

一P型金属氧化物半导体晶体管，其栅极耦接于一电压源，该P型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接于该电容的该第二端，且该电压源提供该上限电位；

一第一N型金属氧化物半导体晶体管，其漏极耦接于该P型金属氧化物半导体晶体管的漏极及该第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极，且该第一N型金属氧化物半导体晶体管的源极接地；

一第二N型金属氧化物半导体晶体管，其栅极耦接于该第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极，该第二N型金属氧化物半导体晶体管的源极接地，且该第二N型金属氧化物半导体晶体管的漏极耦接于该P型金属氧化物半导体晶体管的源极；及

一电阻，其一第一端耦接于该第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极，且该电阻的一第二端接地。

4.根据权利要求2所述的电压控制电路，其特征在于，该上限电压钳制模块包含：

一pnp型双载流子接面晶体管，其栅极耦接于一电压源，该pnp型双载流子接面晶体管的射极耦接于该电容的该第二端，且该电压源提供该上限电位；

一第一npn型双载流子接面晶体管，其集极耦接于该pnp型双载流子接面晶体管的集极及该第一npn型双载流子接面晶体管的基极，且该第一npn型双载流子接面晶体管的射极接地；

一第二npn型双载流子接面晶体管，其基极耦接于该第一npn型双载流子接面晶体管的基极，该第二npn型双载流子接面晶体管的射极接地，且该第二npn型双载流子接面晶体管的集极耦接于该pnp型双载流子接面晶体管的射极；及

一电阻，其一第一端耦接于该第一npn型双载流子接面晶体管的基极，且该电阻的一第二端接地。

5.根据权利要求2所述的电压控制电路，其特征在于，该上限电压钳制模块包含：

一第一P型金属氧化物半导体晶体管，其漏极耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅极并接地；

一第二P型金属氧化物半导体晶体管，其漏极接地，且该第二P型金属氧化物半导体晶体管的栅极耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅极；

一第一N型金属氧化物半导体晶体管，其源极耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的源极，该第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极耦接于该电容的该第二端，且该第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏极接地；

一第二N型金属氧化物半导体晶体管，其源极耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的源极，该第二N型金属氧化物半导体晶体管的漏极接地，且该第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极耦接于一第三电压源，其中该第三电压源提供该上限电位；及

一第三P型金属氧化物半导体晶体管，其栅极耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的漏极，该第三P型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接于该电容的该第二端，且该第三P型金属氧化物半导体晶体管的漏极接地。