[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及即使形成得薄也容易处理的晶片的加工方法。

背景技术

在由形成在表面上的多个交叉的分割预定线而划分而成的各区域上形成有分立器件（个別半导体）（以下，还简单地表述为“器件”）的晶片中，在进行了用于薄化的背面研磨之后，通过溅射或蒸镀而将作为电极工作的金属层形成在背面。

另外，作为分立器件（个別半导体），例如，有晶体管、二极管、电容器、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(金属半导体场效应晶体管））、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极晶体管））等。

公知有如下所述的方法：在薄化了晶片之后形成金属层时，为了防止晶片破损，仅对晶片背面的中央部进行薄化而形成圆形凹部，使外周剩余区域残留而作为加强部（参照专利文献1）。

【专利文献1】日本特开2007-19379号公报

例如，当将晶片薄化到50μm以下时，即使使用在专利文献1中公开的方法，也很难防止处理时的晶片破损。因此，考虑在基板上贴附晶片来进行薄化，在基板贴附了晶片的状态下，用金属来被覆晶片背面而形成金属层。

此处，为了减少晶片破损的顾虑，在将晶片贴附在基板上的状态下，期望沿着分基板割预定线分割晶片、或对晶片实施加工。

但是，在贴附在基板上而露出金属层的同时，表面（形成有器件的面）被贴附在上的晶片中，存在不能检测分割预定线的位置，不能实施沿着分割预定线进行加工的问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供晶片的加工方法，即，在减少晶片破损的顾虑的同时，能够检测晶片的分割预定线，沿着分割预定线对晶片实施加工。

根据第1方面记载的发明，提供晶片的加工方法，在该晶片中，在由形成于表面的多个交叉的分割预定线划分而成的各区域上形成有器件，该加工方法的特征在于包括：基板准备步骤，准备由透明体构成的基板，该基板具有贴附晶片的晶片贴附区域、围绕该晶片贴附区域的外周剩余区域以及形成于该外周剩余区域的对准标记；贴附步骤，在该基板的该晶片贴附区域贴附晶片的表面而使晶片的背面露出；位置关系存储步骤，从该基板侧通过该基板对贴附在该基板上的晶片的表面进行摄像而检测该对准标记的位置及所述分割预定线，将该对准标记与该分割预定线之间的位置关系作为位置关系信息来进行存储；对准标记位置检测步骤，在实施了该位置关系存储步骤之后，从该晶片侧对贴附有晶片的该基板进行摄像，检测该对准标记的位置；以及加工步骤，根据通过该对准标记位置检测步骤检测到的该对准标记的位置和通过该位置关系存储步骤存储的该位置关系信息，从贴附在该基板上的晶片的背面侧沿着该分割预定线对晶片实施加工。

根据第2方面的发明，晶片的加工方法还包括：薄化步骤，在实施了所述贴附步骤之后，对贴附在该基板上的晶片的背面进行研磨来进行薄化；以及金属被覆步骤，在实施了该薄化步骤之后，由金属被覆晶片的背面，所述位置关系存储步骤是在实施了该金属被覆步骤之后实施的。

根据本发明，由于在将晶片贴附在基板上的状态下进行处理，因此能够减少晶片破损的顾虑。由于使基板成为透明体，因此能够在贴附在基板上的状态下检测晶片的分割预定线，能够实施沿着分割预定线的晶片加工。

附图说明

图1是晶片的立体图。

图2（A)是示出贴附步骤的立体图，图2（B)是示出在基板贴附了晶片的状态的立体图。

图3是示出薄化步骤的立体图。

图4是将晶片贴附在基板上的状态的剖视图。

图5是切削装置的外观的立体图。

图6是说明位置关系存储步骤的部分截面侧视图。

图7是说明位置关系存储步骤的俯视图。

图8是说明对准标记位置检测步骤的部分剖视图。

图9是关于对准步骤的说明图。

图10是说明金属层去除方法的部分截面侧视图。

图11是说明激光加工装置的改质层形成方法的部分截面侧视图。

图12（A)是关于晶片对扩展带的贴附的说明图，图12（B)是关于基板分离的说明图，图12（C)是关于器件分离的说明图。

图13是示出对准标记的配置的其他实施方式的俯视图。

图14是示出对准标记的配置的另一其他实施方式的俯视图。

图15是说明利用保持台的实施方式的剖视图。

符号说明

2研磨装置

4卡盘台

6研磨磨石