[发明专利]固态成像元件及其制造方法、电子装置及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造固态成像元件的方法，包括：

形成透镜的步骤，所述透镜各自设置成与配置在半导体基板之上的成像区域中的多个像素中的相应一个的受光部相对应，并且向所述受光部上聚集光；

通过使用具有遮光能力的材料在所述透镜上进行膜沉积来形成遮光层的步骤；以及

通过以在所述透镜之间的分界部分处残留具有遮光能力的材料的方式蚀刻所述遮光层，来在彼此相邻的透镜之间的分界部分处形成由所述具有遮光能力的材料构成的遮光部的步骤。

2.如权利要求1所述的用于制造固态成像元件的方法，其中，所述具有遮光能力的材料是金属。

3.如权利要求1所述的用于制造固态成像元件的方法，其中，形成遮光层的步骤包括形成粘结层以允许所述具有遮光能力的材料粘结至形成所述透镜的材料。

4.如权利要求1所述的用于制造固态成像元件的方法，还包括：在形成透镜的步骤与形成遮光层的步骤之间，通过使用相对于所述具有遮光能力的材料具有蚀刻选择性的材料，来在所述透镜上形成蚀刻阻止膜的步骤。

5.如权利要求4所述的用于制造固态成像元件的方法，其中，将折射率比形成所述透镜的材料的折射率低但比经由所述蚀刻阻止膜形成在所述透镜之上的层的材料的折射率高的材料用作所述具有蚀刻选择性的材料。

6.如权利要求4所述的用于制造固态成像元件的方法，其中，在形成遮光层的步骤和形成蚀刻阻止膜的步骤中，在所述透镜的温度最多为200℃的温度条件下进行遮光层和蚀刻阻止膜的膜沉积。

7.如权利要求1所述的用于制造固态成像元件的方法，还包括

在形成遮光层的步骤与形成遮光部的步骤之间，在遮光层之上施加平坦化用抗蚀膜的步骤，其中

在形成遮光层的步骤中保形地沉积所述具有遮光能力的材料，并且

所述平坦化用抗蚀膜在形成遮光部的步骤中与遮光层一起受到蚀刻。

8.如权利要求1所述的用于制造固态成像元件的方法，还包括：在形成遮光层的步骤与形成遮光部的步骤之间，在遮光层上在所述透镜之间的分界部分处形成硬掩模的步骤。

9.如权利要求8所述的用于制造固态成像元件的方法，其中，在形成遮光层的步骤中保形地沉积所述具有遮光能力的材料。

10.如权利要求1所述的用于制造固态成像元件的方法，其中，所述透镜是在彼此相邻的透镜之间没有间隙的无间隙透镜。

11.一种固态成像元件，包括：

多个像素，构造成配置在半导体基板之上的成像区域中，并且各自具有蓄积通过对入射光进行光电转换获得的信号电荷的受光部；

构造成对于所述多个像素各设置一个的滤色器；

透镜，构造成各自设置成与所述多个像素中的相应一个的受光部相对应，并且向所述受光部上聚集光；和

遮光部，构造成设置在彼此相邻的透镜之间的分界部分处，并且由金属构成。

12.如权利要求11所述的固态成像元件，其中，作为所述透镜，包括设置在所述滤色器上的片上透镜和设置在构成各像素的叠层结构内的层内透镜。

13.一种用于制造电子装置的方法，所述电子装置具有：

固态成像元件，

向所述固态成像元件的受光部引导入射光的光学系统，

生成用于驱动所述固态成像元件的驱动信号的驱动电路，和

处理所述固态成像元件的输出信号的信号处理电路，

作为制造所述固态成像元件的步骤，所述方法包括：

形成透镜的步骤，所述透镜各自设置成与配置在半导体基板之上的成像区域中的多个像素中的相应一个的受光部相对应，并且向所述受光部上聚集光；

通过使用具有遮光能力的材料在所述透镜上进行膜沉积来形成遮光层的步骤；以及

通过以在所述透镜之间的分界部分处残留具有遮光能力的材料的方式蚀刻所述遮光层，来在彼此相邻的透镜之间的分界部分处形成由所述具有遮光能力的材料构成的遮光部的步骤。

14.电子装置，具有：

固态成像元件，

向所述固态成像元件的受光部引导入射光的光学系统，

生成用于驱动所述固态成像元件的驱动信号的驱动电路，和

处理所述固态成像元件的输出信号的信号处理电路，

所述固态成像元件包括：

多个像素，构造成配置在半导体基板之上的成像区域中，并且各自具有蓄积通过对入射光进行光电转换获得的信号电荷的受光部；

构造成对于所述多个像素各设置一个的滤色器；

透镜，构造成各自设置成与所述多个像素中的相应一个的受光部相对应，并且向所述受光部上聚集光；和

遮光部，构造成设置在彼此相邻的透镜之间的分界部分处，并且由金属构成。