[发明专利]籽晶脱胶工艺有效
申请号: | 201210210841.6 | 申请日: | 2012-06-25 |
公开(公告)号: | CN102723403A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 马莹;刘春艳;张琪 | 申请(专利权)人: | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 221004 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 籽晶 脱胶 工艺 | ||
1.一种籽晶脱胶工艺,其特征在于,步骤如下:
冲洗切割后的籽晶;
然后将籽晶置于添加有表面活性剂的环境下进行超声清洗;
再将籽晶放入加有中强酸的70~90℃的热水中进行热水脱胶。
2.根据权利要求1所述的籽晶脱胶工艺,其特征在于,所述冲洗采用如下方式:用自来水进行冲洗,冲洗水压为0.2~0.25MPa,冲洗时间为20~40min。
3.根据权利要求1所述的籽晶脱胶工艺,其特征在于,所述籽晶的厚度为10~30mm。
4.根据权利要求1所述的籽晶脱胶工艺,其特征在于,所述超声清洗采用如下方式:将籽晶放入添加有体积百分比为2%~3%的表面活性剂的超声清洗槽中,超声强度为28~40KHz,温度为25~40℃,超声时间为25~40min。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的籽晶脱胶工艺,其特征在于,所述表面活性剂为阴离子及非离子表面活性剂中的至少一种。
6.根据权利要求5中所述的籽晶脱胶工艺,其特征在于,所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚及脂肪醇聚氧乙烯醚中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的籽晶脱胶工艺,其特征在于,所述中强酸按照体积百分比3%~5%的比例添加。
8.根据权利要求1或7所述的籽晶脱胶工艺,其特征在于,所述热水脱胶过程中辅以超声,超声强度为28~40KHz,超声时间为40~50min。
9.根据权利要求1或7所述的籽晶脱胶工艺,其特征在于,所述中强酸为柠檬酸及乳酸中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的籽晶脱胶工艺,其特征在于,热水脱胶完成后将籽晶取出,擦拭去除籽晶表面的残余物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的