[发明专利]一种具有室温多铁性钬、铬共掺铁酸铋陶瓷及其制备方法无效
申请号: | 201210210682.X | 申请日: | 2012-06-20 |
公开(公告)号: | CN102718474A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 张铭;谢群锋;胡州;严辉;宋雪梅;王波;王如志;侯育冬;朱满康;汪浩 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C04B35/453 | 分类号: | C04B35/453;C04B35/622 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 张慧 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 室温 多铁性钬 铬共掺铁酸铋 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于电子陶瓷材料领域,尤其是涉及一种在室温下同时具备优异铁电、铁磁性的铋、铁位共掺铁酸铋陶瓷及其制备工艺。
背景技术
多铁材料同时具有两种以上的铁电、铁磁及铁弹特性,且其磁电效应在开发新型信息存储器件、自旋电子器件和磁电传感器件等方面具有巨大的潜在的应用前景。
铁酸铋(BiFeO3)因其室温多铁性(铁电居里温度为380℃,反铁磁奈尔点为810℃)而受到研究者的广泛关注。然而,由于大的漏电流抑制了铁酸铋的铁电特性;本征的螺旋反铁磁结构束缚了铁酸铋的磁特性,因而限制了铁酸铋材料的应用。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有优异室温多铁性的钬、铬共掺铁酸铋陶瓷及其制备方法。
本发明一种具有室温多铁性钬、铬共掺铁酸铋陶瓷,其特征在于,所述的钬、铬共掺铁酸铋多铁陶瓷的化学分子式为:Bi1-xHoxFe1-yCryO3,其中0<x≤0.15,0<y≤0.1;优选0.1≤x≤0.15,0.05≤y≤0.1,更优选x=0.1,y=0.1。
上述一种具有室温多铁性钬、铬共掺铁酸铋陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将原料Ho2O3、Bi2O3、Cr2O3和Fe2O3,按照Bi1-xHoxFe1-yCryO3化学式比计量进行配料;
(2)将步骤(1)中的混合料进行球磨,采用氧化锆球,球磨介质为无水乙醇,球磨时间12-24h,转速200-400r/min;
(3)将步骤(2)得到的浆料在100℃下烘干,烘干时间为3-5h,将获得的粉末在750~830℃煅烧2h;
(4)将步骤(3)获得的锻烧粉末再次采用步骤(2)的条件球磨,烘干后过筛,加入聚乙烯醇水溶液(PVA,优选质量分数5%),利用压片机在100-150MPa压力下压成片状;
(5)将步骤(4)获得的片状物质在550℃下排胶4h,最后在800~870℃下烧结成瓷。
该多铁陶瓷在室温下具有优异的铁电特性及铁磁特性,在100kV/cm的电场下最大剩余极化值达到20.25μC/cm2,在0.2T的磁场下最大剩余磁化值达到0.742emu/g,表明其具有优秀的室温铁电、铁磁性能。稀土元素对Bi元素的取代可利用电荷补偿作用抑制氧空位而减少漏电流,改善铁电特性;过渡金属元素对Fe元素的取代可激发新的铁磁交换以获得强磁性。稀土元素与过渡金属元素对Bi与Fe元素共同取代,为同时具备优秀铁电与铁磁特性的铁酸铋材料的制备提供了可能。
附图说明
图1为实施例1制备的钬、铬共掺铁酸铋陶瓷的XRD图谱;
图2为实施例1制备的钬、铬共掺铁酸铋陶瓷的电滞回线;
图3为实施例1制备的钬、铬共掺铁酸铋陶瓷的磁滞回线;
图4为实施例2制备的钬、铬共掺铁酸铋陶瓷的XRD图谱;
图5为实施例2制备的钬、铬共掺铁酸铋陶瓷的电滞回线;
图6为实施例2制备的钬、铬共掺铁酸铋陶瓷的磁滞回线。
具体实施方式
本发明制备的钬、铬共掺铁酸铋陶瓷具有优秀的铁电与铁磁特性,在微电子等器件领域具有广阔的应用前景。
实施例1
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