[发明专利]一种去除半导体硅片表面缺陷的抛光组合物及其制备方法

权利要求书

1.一种去除半导体硅片表面缺陷的抛光组合物，其特征在于，该组合物包括胶体二氧化硅磨粒、抛光加速剂、表面保护剂、分散剂、pH调节剂，所述的组合物的pH值为8.0～10.5。

2.根据权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，该组合物组分的含量为：

胶体二氧化硅磨粒：5～80wt%；

抛光加速剂：0.01～20wt%；

表面保护剂：0.001～2wt%；

分散剂：0.001～2wt%；

pH调节剂：0.01～2wt%；

去离子水：余量。

3.根据权利要求1或2所述的抛光组合物，其特征在于，所述的抛光加速剂为，氢氧化钾、氢氧化钠、碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸氢钾、碳酸钾、碳酸氢钠、碳酸钠、异丙醇胺、二异丙醇胺、氨基丙醇、四乙基胺、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、羟乙基乙二胺、六亚甲基二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、无水哌嗪、六水哌嗪中的一种或几种。

4.根据权利要求1或2所述的抛光组合物，其特征在于，所述的表面保护剂为，聚氧乙烯醚非离子表面活性剂中的一种或几种。

5.根据权利要求4所述的抛光组合物，其特征在于，所述的聚氧乙烯醚非离子表面活性剂为，聚氧乙烯(9)月桂醇醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚中的一种或几种。

6.根据权利要求1或2所述的抛光组合物，其特征在于，所述的分散剂为，聚乙烯醇、聚乙二醇、聚乙烯亚胺、聚氧化乙烯、聚丙烯酸和聚丙烯酰胺中的一种或几种。

7.根据权利要求1或2所述的抛光组合物，其特征在于，所述的pH调节剂为，羟基亚乙基二膦酸、氨基三亚甲基基膦酸、乙二胺四亚甲基膦酸、二乙三胺五亚乙基膦酸、二乙三胺五亚甲基膦酸、丙二胺四亚甲基膦酸、2-膦酸丁烷-1,2,4三羧酸、乙二胺四乙酸、丙二胺四乙酸、二乙基三胺五乙酸和三乙基四胺六乙酸中的一种或几种。

8.根据权利要求1或2所述的抛光组合物，其特征在于，所述的胶体二氧化硅的平均颗粒粒径为10～100nm。

9.根据权利要求1或2所述的抛光组合物，其特征在于，所述的胶体二氧化硅平均颗粒粒径为40nm，含量20wt%，所述的抛光加速剂为1wt%的氢氧化钾与5wt%的六水哌嗪，所述的分散剂为0.05wt%的聚乙烯醇，所述的表面保护剂为0.1wt%的脂肪醇聚氧乙烯醚，所述的pH调节剂0.02wt%的氨基三亚甲基基膦酸与0.02wt%的乙二胺四乙酸。

10.一种去除半导体硅片表面缺陷的抛光组合物的制备方法，其特征在于，该组合物的制备方法如下：

将胶体二氧化硅分散于去离子水中搅拌，得到浓度为5～80wt%的浆液；

在搅拌条件下，加入抛光加速剂0.01～20wt%、分散剂0.001～2wt%；

加入表面保护剂与pH调节剂的混合物，表面保护剂0.001～2wt%与pH调节剂0.01～2wt%分别占抛光组合物的，该抛光组合物的pH值为8.0～10.5；

继续搅拌至混合均匀。