[发明专利]一种多级选通装置

说明书

技术领域

本发明涉及存储器领域，特别是涉及应用于存储阵列位线选通的多级选通装置。

背景技术

随着高密度存储阵列需求的增加，虚地结构存储阵列被越来越广泛的应用于存储装置中。虚地结构存储阵列参见图1，存储阵列10的存储单元cell00、cell01……cellMN以M行N列的形式排列成一个阵列，每个存储单元包括多个连接端口，其中一个连接端口作为控制端口与字线选通装置连接，两个连接端口分别连接一条位线，位线与位线选通装置11相连，每列存储单元的位线连接端口与相邻列的存储单元共享同一条位线，图1中存储单元cell00所在列存储单元的位线连接端口与存储单元cell01所在列存储单元的位线连接端口共享同一条位线B1。字线选通装置和位线选通装置是对存储阵列进行读取和测试操作的重要装置，其中，字线选通装置用于开启存储单元，位线选通装置用于对存储单元的位线施加读取、编程等操作信号。

位线选通装置中包括多个选通管，通过变化施加于位线选通装置的选通控制信号选通不同的选通管。在对存储阵列中的存储单元进行操作时，施加操作信号的装置通过位线选通装置中被选通的选通管与存储单元的位线连接。选通管可以采用场效应晶体管，图1中控制信号施加端P0、P1、P2……PN+1连接场效应晶体管G0、G1、G2……GN+1，如果控制信号施加端接收到由译码器产生的位线选通控制信号A0、A1、A2……，便开启其相连接的场效应晶体管，从而实现对位线的选通，并使电平信号从操作信号的装置传递至被选通的位线。以读取cell00为例说明选通装置的读取操作过程，位线选通控制信号A0选通位线B0，位线选通控制信号A1选通位线B1，而字线选通装置选通字线Z0。通过对选通的位线B0和B1分别施加低电平提供装置和提供预先定义的电位的装置提供的电位操作信号，获得读取电流Ibit，实现对cell00的读取操作。

当读取多个连续的存储单元或向多个连续的存储单元施加信号时，需同时选通连续的多条位线。图1所示位线选通装置中一个选通控制信号仅能选通一条位线，当需要选通a（a>2）根位线时，每个选通控制信号对应选通1条位线，所需的选通控制信号为a个，造成选通控制信号的选通效率不高。为提高选通控制信号的选通效率，本申请人已提出一些解决方案，能够利用较少的选通控制信号同时选通多条连续位线，具体方案记载于已获受理的中国专利申请，申请号分别为：201110445196.1，201110391796.4，201110391568.7，201210185947.5和201210189806.0，特别是申请号为201210189806.0的专利申请所记载的技术方案提高了位线选通的任意性和灵活性，基于上述技术方案，可以进一步提高选通装置的扩展性。

发明内容

本发明的多级选通装置，旨在提高选通装置的扩展性。

为了达到上述目的，本发明提供了一种多级选通装置，应用于存储阵列位线的选通，包括：多级选通模块，其中，

第一级选通模块与连续位线相连，两个第一级选通模块之间通过共用位线相连接，其中，共用的奇数位线为两条连续的奇数位线，共用的偶数位线为两条连续的偶数位线；所述第一级选通模块复用第一级选通控制信号施加端进行选通控制；

第二级选通模块与第一级选通模块相连，与第二级选通模块相连的次位线之间相互独立，所述第二级选通模块复用第二级选通控制信号施加端进行控制选通；

相邻的两个所述第二级选通模块连接于同一个第三级选通模块，由第三级选通控制信号施加端进行控制选通，每个第三级选通模块分别由独立于其他第三级选通模块的控制信号控制，所述第三级选通模块与操作信号施加装置相连；

所述第一级选通控制信号、第二级选通控制信号和第三级选通控制信号，接收译码指令，以选中所述多级选通模块中的选通管，操作信号通过选中的选通管传输至所述多条位线。

与现有技术相比，本发明具有下列优点：