[发明专利]主动元件及其制造方法

权利要求书

1.一种主动元件，其特征在于，包括：

一缓冲层，配置于一基板上，具有一定位区，其中该缓冲层在该定位区的部分的厚度大于在该定位区以外的部分的厚度；

一通道，配置于该缓冲层上，且位于该定位区；

一栅极，位于该通道上方；

一栅绝缘层，配置于该通道与该栅极之间；以及

一源极与一漏极，位于该通道上方并电性连接该通道。

2.根据权利要求1所述的主动元件，其特征在于，该缓冲层在该定位区的部分的厚度为X1，该缓冲层在该定位区以外的部分的厚度为X2，该通道的厚度为Y，X1加上Y并减去X2后大于等于60纳米。

3.根据权利要求1所述的主动元件，其特征在于，该通道的厚度小于等于70纳米。

4.根据权利要求1所述的主动元件，其特征在于，该缓冲层的材质为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅或氧化铝。

5.根据权利要求1所述的主动元件，其特征在于，更包括一第一绝缘层，覆盖该栅极与该栅绝缘层，其中该源极与该漏极位于该第一绝缘层上，且该源极与该漏极贯穿该第一绝缘层与该栅绝缘层而电性连接该通道。

6.根据权利要求1所述的主动元件，其特征在于，该通道的材质为氧化物半导体。

7.根据权利要求1所述的主动元件，其特征在于，该通道的材质包括氧化铟镓锌、氧化锌、氧化锡、氧化铟锌、氧化镓锌、氧化锌锡、氧化铟镓、氧化铟锡锌或氧化铟锡。

8.一种主动元件的制造方法，其特征在于，包括：

形成一缓冲层于一基板上；

形成一通道材料层于该缓冲层上；

形成一通道，其中该缓冲层具有一定位区，其中该缓冲层在该定位区的部分的厚度大于在该定位区以外的部分的厚度，该通道配置于该缓冲层上，且位于该定位区；

形成一栅绝缘层于该通道上；

以该通道与该缓冲层在该通道下方的部分为对位标记，形成一栅极于该栅绝缘层上；以及

形成一源极与一漏极于该通道上方并电性连接该通道。

9.根据权利要求8所述的主动元件的制造方法，其特征在于，形成该通道的步骤包括：

图案化该通道材料层以形成该通道；

减薄该缓冲层未被该通道覆盖的部分，以使该缓冲层在该通道下方的部分的厚度大于未被该通道覆盖的部分的厚度。

10.根据权利要求9所述的主动元件的制造方法，其特征在于，形成该通道与减薄该缓冲层未被该通道覆盖的部分的方法包括：

形成一蚀刻掩膜于该通道材料层上预定形成该通道的区域；

蚀刻该通道材料层未被该蚀刻掩膜覆盖的部分以形成该通道，并继续蚀刻该缓冲层未被该通道覆盖的部分；以及

移除该蚀刻掩膜。

11.根据权利要求8所述的主动元件的制造方法，其特征在于，形成该通道的步骤包括：

同时图案化该通道材料层以及该缓冲层以形成该通道层以及该具有两厚度的缓冲层。

12.根据权利要求8所述的主动元件的制造方法，其特征在于，在形成该栅极之后与形成该源极与该漏极的前，更包括形成一第一绝缘层以覆盖该栅极与该栅绝缘层，且该源极与该漏极贯穿该第一绝缘层与该栅绝缘层而电性连接该通道。