[发明专利]浅沟槽隔离形成方法以及半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 201210208963.1 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102709226A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 形成 方法 以及 半导体器件 制造 | ||
1.一种浅沟槽隔离形成方法，其特征在于包括：
在衬底上依次沉积氧化硅层和氮化硅层；
在所述氮化硅层上布置光刻胶层，并形成所述光刻胶层的图案，所述光刻胶层的图案的至少一部分对应于浅沟槽隔离；
利用形成图案的光刻胶层在所述衬底中刻蚀出初始浅沟槽隔离结构；
去除所述光刻胶层；
对所述初始浅沟槽隔离结构进行倾斜离子注入处理以便在所述初始浅沟槽隔离结构的侧壁形成离子注入区；
对所述初始浅沟槽隔离结构进行氧化处理，以便在所述初始浅沟槽隔离结构的侧壁形成氧化硅膜；以及
去除所述氧化硅膜，以形成最终浅沟槽隔离结构。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离形成方法，其特征在于，根据所需浅沟槽倾角确定倾斜离子注入处理的注入角度、注入能量以及注入剂量中的至少一个。
3.根据权利要求1或2所述的浅沟槽隔离形成方法，其特征在于，倾斜离子注入处理的离子注入元素包括硼元素、磷元素、砷元素、锗元素。
4.根据权利要求1或2所述的浅沟槽隔离形成方法，其特征在于，所述离子注入处理包括多次倾斜离子注入步骤，每次倾斜离子注入步骤的条件不同。
5.根据权利要求1或2所述的浅沟槽隔离形成方法，其特征在于，对所述初始浅沟槽隔离结构进行氧化处理使得初始浅沟槽隔离结构的边缘形成氧化硅。
6.根据权利要求1或2所述的浅沟槽隔离形成方法，其特征在于，对初始浅沟槽隔离结构进行氧化处理使得倾斜离子注入处理时被注入离子的区域氧化成氧化硅。
7.根据权利要求1或2所述的浅沟槽隔离形成方法，其特征在于，通过湿法蚀刻去除所述氧化硅膜。
8.一种采用了根据权利要求1至7之一所述的浅沟槽隔离形成方法的半导体器件制造方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
