[发明专利]保护图案化磁性材料的方法

权利要求书

1.一种用于保护叠层的图案化磁性材料的方法，包括：

沉积惰性材料的连续薄膜，对于正在其上沉积所述连续薄膜的图案化叠层的磁性材料，所述惰性材料呈惰性；以及

从所述连续薄膜形成中间界面薄层，以保护非蚀刻的高浮雕磁岛的顶部和侧壁区域以及图案化叠层的磁膜蚀刻表面不受因暴露于空气而引起的损伤以及因与回填材料接触而引起的损伤。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述惰性材料被配置成防止图案化叠层的磁岛和磁膜的磁性能的变化。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述惰性材料被配置成防止与图案化叠层的磁性材料起化学反应。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述惰性材料被配置成防止图案化叠层的磁性材料的扩散。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积连续薄膜的步骤包括溅射、等离子体增强化学汽相沉积、原子层沉积或保形沉积中的至少一个。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中间界面薄层包括平坦化工艺。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中间界面薄层被配置成使磁岛与包含空气和回填材料的周围元素隔绝。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中间界面薄层被配置成建立磁岛侧壁保护，以免在平坦化和回蚀工艺期间受到损伤。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在真空下进行离子束蚀刻的图案化之后，将连续薄膜沉积在刚图案化的磁岛之上。

10.一种装置，包括：

用于沉积惰性材料的连续薄膜的装置，对于正在其上沉积所述连续薄膜的图案化叠层的磁性材料，所述惰性材料呈惰性；以及

用于从连续薄膜形成中间界面薄层，以保护非蚀刻的高浮雕磁岛的顶部和侧壁区域以及图案化叠层的磁膜蚀刻表面不受因暴露于空气而引起的损伤以及因与回填材料接触而引起的损伤的装置。

11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，还包括用于在图案化叠层中建立中间界面薄层结构以在平坦化工艺期间保护磁岛的装置。

12.如权利要求10所述的装置，其特征在于，还包括用于沉积惰性材料以防止图案化叠层的磁性能改变的装置。

13.如权利要求10所述的装置，其特征在于，用于沉积连续薄膜的所述装置包括用于溅射的装置、用于等离子体增强化学汽相沉积的装置、用于原子层沉积的装置或用于保形沉积的装置中的至少一个。

14.如权利要求10所述的装置，其特征在于，还包括用于在图案化叠层中建立中间界面薄层结构以保护磁岛免受因与回填材料直接接触而造成的扩散损伤的装置。

15.如权利要求10所述的装置，其特征在于，还包括用于在真空下进行离子束蚀刻的图案化之后将连续薄膜沉积在图案化叠层的刚图案化的磁岛之上的装置。

16.一种保护层结构，包括：

图案化磁岛；

中间界面薄层；以及

连续薄膜保护层结构，其中所述中间界面薄层是通过在图案化磁岛上沉积所述连续薄膜保护层结构而形成的，以保护图案化磁岛不受因暴露于空气而引起的损伤、因与回填材料接触而引起的损伤以及因平坦化工艺而引起的损伤。

17.如权利要求16所述的保护层结构，其特征在于，沉积在图案化磁岛上的所述材料对于图案化磁岛中使用的磁性材料呈惰性。

18.如权利要求17所述的保护层结构，其特征在于，沉积在图案化磁岛上的惰性材料被配置成防止图案化叠层的磁岛和磁膜的磁性能的改变，防止与图案化磁岛的磁性材料起化学反应，以及防止图案化磁岛的磁性材料的扩散。

19.如权利要求16所述的保护层结构，其特征在于，所述保护层是使用沉积工艺沉积的，所述沉积工艺包括溅射、等离子体增强化学汽相沉积、原子层沉积或保形沉积技术中的至少一种。

20.如权利要求16所述的保护层结构，其特征在于，所述中间界面薄层被配置成在包括回填材料回蚀的平坦化工艺过程中保护所述图案化磁岛。