[发明专利]一种改善服务器主板谐振区的方法

说明书

技术领域

本发明涉及新兴的信息技术设备的谐振区改善技术领域，尤其涉及一种改善服务器主板谐振区的方法。

背景技术

在服务器主板谐振区结构中，电源和地平面之间构成谐振腔，因此存在谐振。当走线通过谐振较强的区域，信号相当于是走在一个浮动的参考平面上，若走线在此区域过孔，或者恰好某段走线接近谐振频点的1/4波长，则容易形成天线在近场带出该谐振点。服务器主板谐振区引起的辐射问题是十分普遍的，而且比较难解。

改善电源平面的谐振区，以降低辐射骚扰的强度有多种方法，目前，选择合适的去耦电容，并在合适的位置添加，是改善服务器主板谐振区主要方法，然而，该种传统的方法是通过一次又一次实测的方法，这样花费了大量的时间与费用。首先，找出谐振区时，传统方法是使用近场量测探头进行大范围的量测，这样一般要进行几十次量测，耗费很多的时间与劳动量。而添加去耦电容后，只能等到下一次打板验证，万一无效，前功尽弃，传统方法为了降低风险，进行了改进，往往选取很多位置，添加很多不同容值组合的电容，但是这样即使一次成功了，还有一个问题，就是相关位置能否摆下这么多电容。

故，针对上述现有技术在改善电源平面的谐振区，以降低辐射骚扰的强度方面存在的缺陷，实有必要进行研究，以提供一种方法来改善电源平面的谐振区，以降低辐射骚扰的强度。

发明内容

为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种改善服务器主板谐振区的方法，以改善电源平面的谐振区，降低辐射骚扰的强度。

为实现上述目的，本发明的技术方案为：

一种改善服务器主板谐振区的方法，包括如下步骤：

S10：远场实测服务器，初步分析辐射源，以确定与主板谐振区有关的辐射源；

S11：运行SIwave软件，进行谐振区的仿真，获得谐振模式图，找出谐振最强的区域；

S12：对比实测数据，添加端口，仿真S参数曲线；

S13：根据S参数曲线，选择合适的去耦电容并进行添加；

S14：再次运行谐振模式仿真和S参数仿真，并进行前后对比分析，确认效果。

进一步地，在步骤S11中，把主板layout文件导入SIwave软件，选定网络端口区域，进行电容参数、频率范围等初始化设置，运行谐振仿真模式，SIwave软件通过求解齐次麦克斯韦方程得到2D谐振模式。

进一步地，在步骤S11中获得的谐振最强区域添加一个S端口，运行扫频分析功能，得到S参数曲线。

进一步地，在步骤S13中，根据S参数曲线，根据辐射超标最严重的谐振点，选择谐振频率在这个谐振点的频率值附近的去耦电容。

相较于现有技术，本发明改善服务器主板谐振区的方法节约时间，节省劳动量，且简单，安全可靠，可以有效地改善电源平面的谐振区，降低辐射骚扰的强度。

附图说明

图1是本发明的方法流程图示；

图2为服务器在远场的辐射实测图；

图3是采用本发明方法后所得的2D谐振图；

图4是本发明的S参数曲线图；

图5是本发明加去耦电容前后的S曲线比较图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参照图1所示，本发明改善服务器主板谐振区的方法包括如下步骤：

S10：远场实测服务器，初步分析辐射源，以确定与主板谐振区有关的辐射源；

S11：运行SIwave软件，进行谐振区的仿真，获得谐振模式图，找出谐振最强的区域；

S12：对比实测数据，添加端口，仿真S参数曲线；

S13：根据S参数曲线，选择合适的去耦电容并进行添加；

S14：再次运行谐振模式仿真和S参数仿真，并进行前后对比分析，确认效果。

其中，参照图2对步骤S10进行说明，图2为某服务器在远场的辐射实测图，其中曲线表示辐射强度，上面的折线为法规限值CISPR22 ClassB 10M Radiation，下面的折线为法规裕量限值Margin 6dB，以上面的折线为准，曲线超出该折线，表示辐射超标。从图中不难看出，该服务器主板在第8个标示点750M上辐射超标最严重；在实测时，拔掉网线，750M超标点消失，而750M恰为网络端口时钟125M的6倍频。因此，可以初步断定该超标点与主板网络端口区域的谐振有关。