[发明专利]一种利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法

权利要求书

1.一种利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法，其特征是包括如下步骤：

a)在晶体硅基体材料背面印刷第一层铝浆，第一层铝浆覆盖部分晶体硅基体材料背面，覆盖图形为点状阵列或者线状阵列；

b)印刷后采用高温快速烧结，在晶体硅基体材料内形成局部铝背场；

c)利用化学溶液去除晶体硅基体材料背面上烧结后残余铝浆并将表面清洗干净；

d)在晶体硅基体材料背面上沉积背面钝化膜；

e)在背面钝化膜上套印银浆并烘干，其银浆套印的图形与第一层铝浆的图形完全吻合；

f)在背面钝化膜上印刷第二层铝浆并覆盖整个晶体硅基体材料背面；

g)将第二层铝浆烘干并利用高温快速烧结，使套印银浆穿过背面钝化膜与晶体硅基体材料内形成局部铝背场形成欧姆接触，同时高温烘干的第二层铝浆将所有银浆点或者线连接以便导出电流。

2.一种利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法，其特征是包括如下步骤：

a)在晶体硅基体材料背面上沉积第一层背面钝化膜；

b)在第一层背面钝化膜上印刷第一层铝浆，第一层铝浆覆盖部分晶体硅基体材料背面，覆盖图形为点状阵列或者线状阵列；

c)印刷后采用高温快速烧结，在晶体硅基体材料内形成局部铝背场；

d)在晶体硅基体材料背面上沉积第二层背面钝化膜；

e)在第二层背面钝化膜上套印银浆并烘干，其银浆套印的图形与第一层铝浆的图形完全吻合；

f)在第二层背面钝化膜上印刷第二层铝浆并覆盖整个晶体硅基体材料背面；

g)将第二层铝浆烘干并利用高温快速烧结，使套印银浆穿过背面钝化膜与晶体硅基体材料内形成局部铝背场形成欧姆接触，同时高温烘干的第二层铝浆将所有银浆点或者线连接以便导出电流。

3.根据权利要求1或2所述的利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法，其特征是：所述晶体硅基体材料表面为抛光面或结构化绒面，所述抛光面采用化学溶液腐蚀制备而成。

4.根据权利要求3所述的利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法，其特征是：所述的化学溶液为KOH水溶液、NaOH水溶液、四甲基氢氧化铵水溶液或乙二胺(H₂NCH₂CH₂NH₂)水溶液，其中，KOH水溶液的重量百分比浓度为10~40%，温度为50~90℃； NaOH水溶液的重量百分比浓度为10~40%，温度为50~90℃；四甲基氢氧化铵水溶液的重量百分比浓度为10~30%，温度为50~90℃；乙二胺水溶液的重量百分比浓度为10~30%，温度为50~90℃。

5.根据权利要求1或2所述的利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法，其特征是：所述的第一层铝浆的厚度为20-40um，图形为点状或者线状阵列，点的直径为50-400um，点间距为100-2000um，最小重复单元是三角形、四边形或者五边型，线的线宽为40-200um，线间距为100-2000um，线为实线或虚线。

6.根据权利要求1或2所述的利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法，其特征是：所述的背面钝化膜是非晶硅薄膜，SiCx薄膜，热氧、湿氧或者旋涂形成的氧化硅薄膜，SiO₂/SiNx叠层薄膜，Al₂O₃薄膜或Al₂O₃/SiNx叠层薄膜，背面钝化膜的厚度为30-300nm。

7.根据权利要求1或2所述的利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法，其特征是：所述的背面钝化膜的制备方法包括CVD，PECVD，APCVD，MOCVD化学气相沉积法或ALD原子层沉积法。

8.根据权利要求1或2所述的利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法，其特征是：所述的高温快速烧结的温度为600-800℃，时间为1-4分钟。

9.根据权利要求1或2所述的利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法，其特征是：所述的银浆为具有烧穿背面钝化膜作用的普通银浆。

10.根据权利要求1所述的利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法，其特征是：所述步骤c)中的化学溶液为氢氟酸、硝酸、盐酸和硫酸中的一种或几种的混合物。