[发明专利]固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法和电子设备

权利要求书

1.一种固体摄像装置，所述固体摄像装置包括传输栅极电极和光电转换部，

所述传输栅极电极形成在半导体基板上；

所述光电转换部包括：

电荷存储区域，所述电荷存储区域在深度方向上是从所述半导体基板的表面侧形成的，所述电荷存储区域由第一导电型杂质区域形成，所述第一导电型杂质区域被形成为与所述传输栅极电极部分地重叠，

传输辅助区域，所述传输辅助区域由第二导电型杂质区域形成，所述第二导电型杂质区域被形成为与所述传输栅极电极部分地重叠，并且所述传输辅助区域被形成在所述电荷存储区域的上层中，以及

暗电流抑制区域，所述暗电流抑制区域是形成在所述传输辅助区域的上层中的第一暗电流抑制区域，并且所述第一暗电流抑制区域被形成为以如下方式位置对齐：所述第一暗电流抑制区域在所述传输栅极电极侧的端部与所述传输辅助区域的位于所述传输栅极电极侧的端部处于相同位置，所述暗电流抑制区域是由与所述传输辅助区域相同导电型的杂质区域形成的，并且所述暗电流抑制区域是由浓度高于所述传输辅助区域的浓度的杂质区域形成的。

2.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

所述光电转换部包括最外层表面暗电流抑制区域，所述最外层表面暗电流抑制区域形成在所述半导体基板的位于所述传输辅助区域的上层中的最外层表面并且未延伸至所述传输栅极电极的下方，所述最外层表面暗电流抑制区域是由导电型与所述暗电流抑制区域的导电型相同的杂质区域形成的并且是由浓度高于所述暗电流抑制区域的浓度的杂质区域形成的。

3.根据权利要求2所述的固体摄像装置，还包括在所述半导体基板的表面侧的读取区域，从所述光电转换部传输而来的信号电荷从所述读取区域被读取，

其中，所述暗电流抑制区域和所述传输辅助区域在所述读取区域侧与所述传输栅极电极的重叠量形成为比所述电荷存储区域与所述传输栅极电极的重叠量大。

4.根据权利要求3所述的固体摄像装置，其中，

所述传输栅极电极在侧表面上包括侧壁，并且

其中，所述最外层表面暗电流抑制区域被形成为重叠在所述侧壁下方。

5.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，所述电荷存储区域的位于所述传输栅极电极侧的端部被设定在与所述暗电流抑制区域和所述传输辅助区域的位于所述传输栅极电极侧的端部大致相同的位置。

6.一种固体摄像装置的制造方法，所述制造方法包括形成光电转换部的过程和形成传输栅极电极的过程，

所述形成光电转换部的过程包括如下步骤：

通过从半导体基板的表面侧在深度方面上离子注入第一导电型杂质形成电荷存储区域，

通过在所述电荷存储区域的上层中离子注入第二导电型杂质形成传输辅助区域，并且

借助用于形成所述传输辅助区域时的掩模在所述传输辅助区域的上层中离子注入浓度高于所述传输辅助区域的浓度的第二导电型杂质，从而形成暗电流抑制区域；

所述形成传输栅极电极的过程包括如下步骤：

在所述半导体基板上形成与所述电荷存储区域、所述传输辅助区域和所述暗电流抑制区域部分地重叠的传输栅极电极。

7.根据权利要求6所述的制造方法，在形成所述传输栅极电极的步骤之后，还包括步骤：

在所述半导体基板的所述暗电流抑制区域的上层中的最外层表面，通过离子注入浓度高于所述暗电流抑制区域的浓度的第二导电型的杂质形成最外层表面暗电流抑制区域。

8.根据权利要求7所述的制造方法，在形成所述传输栅极电极的步骤之后，还包括步骤：

在所述半导体基板的所述表面侧形成读取区域，所述读取区域读取从所述光电转换部传输而来的信号电荷。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，

所述暗电流抑制区域和所述传输辅助区域在所述读取区域侧与所述传输栅极电极的重叠量形成为比所述电荷存储区域与所述传输栅极电极的重叠量大。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，所述最外层表面暗电流抑制区域是通过利用所述传输栅极电极作为掩模的自对准形成的。

11.根据权利要求9所述的制造方法，还包括：在形成所述传输栅极电极之后，在所述传输栅极电极的侧表面上形成侧壁，其中，所述最外层表面暗电流抑制区域是通过利用所述侧壁作为掩模的自对准形成的。