[发明专利]阵列基板及其制造方法、以及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：像素区、数据线端子区以及栅线端子区；

所述像素区包括：像素电极、TFT的栅极、TFT的源漏电极、用于将所述像素电极和TFT的漏极电连接的连接电极、以及公共电极，所述像素电极设置在基板的上表面，所述TFT的栅极和连接电极同层同材料，所述源漏电极与所述栅极之间形成有半导体层，所述半导体层与所述栅极之间形成有绝缘层，所述像素电极通过所述连接电极与所述TFT的漏极电连接，所述公共电极包括与所述源漏电极同层同材料的部分，且与所述源漏电极同层同材料的部分与所述像素电极之间依次形成有所述半导体层以及绝缘层；

所述数据线端子区包括绝缘层、半导体层、数据线、以及数据线连接端子，所述数据线与所述源漏电极同层同材料；

所述栅线端子区包括栅线、绝缘层、以及栅线连接端子，所述栅线与所述栅极同层同材料，所述栅线连接端子与所述源漏电极同层同材料。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝化层，形成于所述像素区的最上层、所述数据线端子区的最上层除所述数据线连接端子外的部分、以及栅线端子区的最上层除所述栅线连接端子外的部分。

3.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

使用两次多阶调掩膜工艺和两次光刻胶离地剥离处理制作阵列基板。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述两次多阶调掩膜工艺和两次光刻胶离地剥离处理为：

在基板上依次形成透明薄膜层和栅金属层；

在基板上形成光刻胶后，利用多阶调掩膜工艺进行第一次曝光，经过显影，使保留的光刻胶厚度分为3级；

对没有光刻胶保留的栅金属层和透明薄膜层进行刻蚀；

对保留的光刻胶进行第一次刻蚀，将此时光刻胶保留最薄处的光刻胶去除，同时使其余区域保留的光刻胶相应变薄；

对去除的光刻胶保留的最薄区域对应的栅金属层进行刻蚀；

对保留的光刻胶进行第二次刻蚀，将此时光刻胶保留最薄处的光刻胶去除，同时使其余区域保留的光刻胶相应变薄；

在基板上依次形成绝缘层和半导体层；

利用光刻胶离地剥离处理，将此时剩余的光刻胶离地剥离，使得沉积在剩余的光刻胶区域上的绝缘层和半导体层也同时被去除；

形成源漏金属层；

在基板上涂覆光刻胶，利用多阶调掩膜工艺进行第二次曝光，再经过显影，使保留的光刻胶厚度分为3级；

对没有光刻胶保留的区域的源漏金属层和半导体层进行刻蚀；

对保留的光刻胶进行刻蚀，将此时光刻胶保留最薄处的光刻胶去除，同时使其余区域保留的刻胶相应变薄；

对去除了保留的光刻胶后区域的源漏金属层和半导体层进行刻蚀；

对保留的光刻胶进行第二次刻蚀，将此时最薄处保留的光刻胶去除，同时使其余区域保留的光刻胶相应变薄；

形成钝化层；

利用光刻胶离地剥离处理，将剩余的光刻胶剥离，使得形成在剩余的光刻胶区域的钝化层也同时被去除，将数据线端子区的数据线连接端子和栅线端子区的栅线连接端子暴露出来。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，第一次曝光显影后，保留的光刻胶厚度所分的3级为：TFT的漏极电连接至像素电极处和栅线区域最厚，TFT栅极区域厚度次之，像素电极区域厚度最薄。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，第二次曝光显影后，保留的光刻胶厚度所分的3级为：数据线区域和栅线区域最厚，TFT源漏极区域厚度次之，TFT源漏极间的沟道区域厚度最薄。

7.一种显示装置，其特征在于，包含如权利要求1-2任一所述的阵列基板。