[发明专利]触控感测结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210206899.3 申请日: 2012-06-21
公开(公告)号: CN103034355A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 陈维钏;郭晓文 申请(专利权)人: 杰圣科技股份有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;G06F3/044
代理公司: 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 代理人: 艾晶;周春发
地址: 中国台湾台南*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 触控感测 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种触控感测结构,其特征在于,包括:

一透明基材;

一透明导电层,位于该透明基材之上,该透明导电层设有复数感测结构;

一导电辅助结构,位于该些感测结构表面,该导电辅助结构用以提升该些感测结构的导电度;

复数填补结构,位于该些感测结构之间,该辅助导电结构位于该复数填补结构之上,其中该些感测结构与该些填补结构电性开路;以及

复数周边线路,分别与该感测结构电性连接,该复数周边线路供连接软性电路板。

2.如权利要求1所述的触控感测结构,其特征在于,该导电辅助结构为一网状结构,该网状结构至少由复数第一线路和复数第二线路交织而成,每一第一线路和每一第二线路的大小范围在20μm以下。

3.如权利要求2所述的触控感测结构,其特征在于,复数感测结构具有沿一第一方向延伸的复数感测串行,该些第一线路位于该些感测串行表面且沿该第一方向延伸,该些第二线路位于该些感测串表面且沿一第二方向延伸,该些第一线路与该些第二线路相互交错,每一第二线路由该些第一线路间断而形成复数线段。

4.如权利要求1所述的触控感测结构,其特征在于,该导电辅助结构为一矩阵排列结构,由复数单元所组成,每一单元的大小范围在20μm以下。

5.如权利要求1所述的触控感测结构,其特征在于,该导电辅助结构为一随机网点结构,由复数网点所组成,每一网点的大小范围在20μm以下。

6.如权利要求1所述的触控感测结构,其特征在于,该导电辅助结构为至少一层金属导电材质。

7.一种触控感测结构的制造方法,其特征在于,包括:

提供一透明基材;

形成一透明导电层于该透明基材之上;

形成一导电层于该透明导电层之上;

图案化该导电层,形成一导电辅助结构;以及

图案化该导电层以及该透明导电层,形成具有该导电辅助结构于其上的复数感测结构和复数填补结构,其中复数填补结构位于该些感测结构之间,该些感测结构与该些填补结构电性开路,复数周边线路分别与该些感测结构电性连接,该些周边线路供连接软性电路板,该导电辅助结构用以提升该些感测结构的导电度。

8.如权利要求7所述的触控感测结构的制造方法,其特征在于,该导电辅助结构为一网状结构,该网状结构至少由复数第一线路和复数第二线路交织而成,每一第一线路和每一第二线路的大小范围在20μm以下。

9.如权利要求8所述的触控感测结构的制造方法,其特征在于,复数感测结构具有沿一第一方向延伸的复数感测串行,该些第一线路位于该些感测串行表面且沿该第一方向延伸,该些第二线路位于该些感测串表面且沿一第二方向延伸,该些第一线路与该些第二线路相互交错,每一第二线路由该些第一线路间断而形成复数线段。

10.如权利要求7所述的触控感测结构的制造方法,其特征在于,该导电辅助结构为一矩阵排列结构,由复数单元所组成,每一单元的大小范围在20μm以下。

11.如权利要求7所述的触控感测结构的制造方法,其特征在于,该导电辅助结构为一随机网点结构,由复数网点所组成,其中网点为随机数分布,每一网点的大小范围在20μm以下。

12.如权利要求7所述的触控感测结构的制造方法,其特征在于,该导电辅助结构为至少一层金属导电材质。

13.如权利要求7所述的触控感测结构的制造方法,其特征在于,该透明基材为可绕曲的材质,并以卷对卷技术进行每一道黄光制程。

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