[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及其形成方法无效
| 申请号： | 201210206531.7 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103515282A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
通过刻蚀工艺在所述衬底上形成多个第一鳍式结构，相邻两个第一鳍式结构之间为隔离沟道；
在所述隔离沟道内填充氧化层并刻蚀，形成浅沟道隔离，所述浅沟道隔离的侧壁具有倾斜度，所述浅沟道隔离的表面低于所述第一鳍式结构的上表面；
刻蚀所述第一鳍式结构形成第二鳍式结构，所述第二鳍式结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分的侧壁垂直于所述浅沟道隔离的表面所在平面。
2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述衬底上形成有掩膜层。
3.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一鳍式结构的侧壁具有85°~86°的倾斜度。
4.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一鳍式结构形成第二鳍式结构。
5.如权利要求4所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的压强为5~50milli-torr。
6.如权利要求4所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的反应气体包括：碳氟化合物，氯气和溴化氢中的一种或多种。
7.如权利要求6所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述气体流量为：碳氟化合物10~100sccm，氯气10~1000sccm，溴化氢10~1000sccm。
8.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，采用化学气象沉积或物理气相沉积工艺进行氧化层的填充。
9.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺刻蚀所述氧化层。
10.如权利要求9所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺为采用稀释的氢氟酸进行刻蚀。
11.一种利用权利要求1至10中的任一项鳍式场效应晶体管的形成方法制得的鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底具有多个浅沟道隔离；
位于所述浅沟道隔离两侧的第二鳍式结构，所述第二鳍式结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分的侧壁垂直于浅沟道隔离的表面所在平面。
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