[发明专利]铸锭单晶硅生产方法

权利要求书

1.一种铸锭单晶硅生产方法，其特征是：坩埚（1）底部铺一层诱导籽晶块（2），诱导籽晶块（2）下方垫用于在熔化末期及长晶初期，在拼接区域形成拼接缝隙处温度高于两侧温度的横向温度梯度的散热装置，然后在诱导籽晶块（2）上面装多晶硅料，在熔化的过程保持诱导籽晶块（2）被熔化一定高度，但不能熔化完，然后以单晶诱导的方式向上定向凝固出单晶硅锭。

2.根据权利要求1所述的铸锭单晶硅生产方法，其特征是：所述的散热装置为垫在诱导籽晶块的接缝下方的熔接条（31）。

3.根据权利要求1所述的铸锭单晶硅生产方法，其特征是：所述的散热装置为组合散热垫板，组合散热垫板包括垫在诱导籽晶块的接缝下方的熔接条（31）和石墨散热板（4），石墨散热板（4）表面上具有凹槽（41），熔接条（31）通过嵌入凹槽（41）与石墨散热板（4）组装成组合散热垫板。

4.根据权利要求1所述的铸锭单晶硅生产方法，其特征是：所述的坩埚（1）为拼接坩埚，所述的散热装置为拼接坩埚的坩埚底板，坩埚底板包括垫在诱导籽晶块的接缝下方的熔接条（31）和石墨散热板（4），石墨散热板（4）表面上具有凹槽（41），熔接条（31）通过嵌入凹槽（41）与石墨散热板（4）组成一体。

5.根据权利要求1所述的铸锭单晶硅生产方法，其特征是：所述的熔接条（31）为石英材质、刚玉或刚玉莫来石。

6.根据权利要求5所述的铸锭单晶硅生产方法，其特征是：所述的熔接条（31）采用石英材质，并且构成石英框。

7.根据权利要求1或2或3或4或5所述的铸锭单晶硅生产方法，其特征是：所述的诱导籽晶块（2）的接缝中线与熔接条（31）的中线重合。

8.根据权利要求1或2或3或4或5所述的铸锭单晶硅生产方法，其特征是：在诱导籽晶块（2）的拼接区域形成5-15℃/cm的横向温度梯度。