[发明专利]一种在N型硅衬底上快速形成P-N结的方法

权利要求书

1.一种在N型硅衬底上快速形成P-N结的方法，其特征在于包括以下步骤：

1）硅片清洗，去除损伤层，表面碱制绒；

2）硼源扩散快速形成P型发射结；

3）酸腐蚀液或腐蚀性浆料腐蚀单面P型发射结；

4）热氧化法生成SiO₂膜，膜厚为100nm-300nm，工艺时间为20min-45min；

5）酸腐蚀液或腐蚀性浆料腐蚀非发射极面SiO₂；

6）磷源扩散形成N型前表面场，方阻为80-200ohm/sq；

7）HF酸去磷硅玻璃PSG及部分SiO₂，保留SiO₂厚度为50-80nm；

8）正面PECVD沉积50-80nmSiNx，折射率为1.9-2.5；

9）正面印刷Ag浆并烘干；

10）背面印刷AgAl浆；

11）烧结。

2.如权利要求1所述的一种在N型硅衬底上快速形成P-N结的方法，其特征在于：所述的步骤2）中的硼源扩散只有沉积硼源的过程，采用BBr₃源沉积，沉积时间为30-60min；推进时间为20min以内，方阻为20-50ohm/sq；该步骤的整个工艺时间为90min以内。

3.如权利要求1所述的一种在N型硅衬底上快速形成P-N结的方法，其特征在于：所述的步骤4）中热氧化一方面形成后续工艺掩膜，另一方面作为硼B扩散的一部分，利用硼硅玻璃继续推进结深，降低结的表面浓度，达到目标方阻值50-80ohm/sq。