[发明专利]瞬时电压抑制器电路与用于其中的二极管元件及其制造方法

权利要求书

1.一种瞬时电压抑制器电路，用以耦接至一受保护电路，进而限制一输入该受保护电路的瞬时电压的振幅，其特征在于，该瞬时电压抑制器电路包含：

一抑制元件，具有一PN接面，用以限制该瞬时电压的振幅；以及

至少一二极管元件，耦接于该受保护电路与该抑制元件之间，且与该PN接面反向对接；

其中，该二极管元件形成于一第一导电型基板中，该基板具有一上表面，该二极管元件包括：

一第一导电型或第二导电型井区，形成于该上表面下的该基板中；

一分隔区，形成于该上表面下的该基板中，由俯视图视的，该分隔区位于该井区中；

一第一导电型顺向区，形成于该分隔区一侧的该上表面下方；

一第二导电型逆向区，形成于该分隔区另一侧的该上表面下方，且该顺向区与该逆向区由该分隔区隔开；以及

一埋层，形成于该井区下方的该基板中，其具有与该井区相同的导电型，且该埋层的杂质浓度高于该井区的杂质浓度。

2.如权利要求1所述的瞬时电压抑制器电路，其中，该分隔区包括一场氧化区或一纯质半导体区。

3.如权利要求1所述的瞬时电压抑制器电路，其中，该抑制元件包括一变阻器元件、一齐纳二极管、二串联对接的齐纳二极管、或一无栅极金属氧化物半导体元件。

4.如权利要求1所述的瞬时电压抑制器电路，其中，该二极管元件为多个，且安排于该抑制元件两侧。

5.如权利要求1所述的瞬时电压抑制器电路，其中，该埋层与该井区由俯视图视之，定义于相同区域。

6.一种用于瞬时电压抑制器电路中的二极管元件，用以与该瞬时电压抑制器电路中所包含的一具有PN接面的抑制元件反向对接，该用于瞬时电压抑制器电路中的二极管元件形成于一第一导电型基板中，该基板具有一上表面，其特征在于，该二极管元件包含：

一第一导电型或第二导电型井区，形成于该上表面下的该基板中；

一分隔区，形成于该上表面下的该基板中，由俯视图视之，该分隔区位于该井区中；

一第一导电型顺向区，形成于该分隔区一侧的该上表面下方；

一第二导电型逆向区，形成于该分隔区另一侧的该上表面下方，且该顺向区与该逆向区由该场氧化区隔开；以及

一埋层，形成于该井区下方的该基板中，其具有与该井区相同的导电型，且该埋层的杂质浓度高于该井区的杂质浓度。

7.如权利要求6所述的用于瞬时电压抑制器电路中的二极管元件，其中，该分隔区包括一场氧化区或一纯质半导体区。

8.如权利要求6所述的用于瞬时电压抑制器电路中的二极管元件，其中，该抑制元件包括一变阻器元件、一齐纳二极管、二串联对接的齐纳二极管、或一无栅极金属氧化物半导体元件。

9.如权利要求6所述的用于瞬时电压抑制器电路中的二极管元件，其中，该埋层与该井区由俯视图视之，定义于相同区域。

10.一种用于瞬时电压抑制器电路中的二极管元件制造方法，该二极管元件用以与该瞬时电压抑制器电路中所包含的一具有PN接面的抑制元件反向对接，其特征在于，该制造方法包含：

提供一第一导电型基板，该基板具有一上表面；

形成一第一导电型或第二导电型井区于该上表面下的该基板中，并形成一埋层于该井区下方的该基板中，该埋层具有与该井区相同的导电型，且该埋层的杂质浓度高于该井区的杂质浓度；

形成一分隔区于该上表面下的该基板中，由俯视图视之，该分隔区位于该井区中；

形成一第一导电型顺向区于该分隔区一侧的该上表面下方；以及

形成一第二导电型逆向区于该分隔区另一侧的该上表面下方，且该顺向区与该逆向区由该分隔区隔开。

11.如权利要求10所述的用于瞬时电压抑制器电路中的二极管元件制造方法，其中，该分隔区包括一场氧化区或一纯质半导体区。

12.如权利要求10所述的用于瞬时电压抑制器电路中的二极管元件制造方法，其中，该埋层与该井区由俯视图视之，定义于相同区域。