[发明专利]用于制造III族氮化物半导体发光器件的方法有效
| 申请号： | 201210205978.2 | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102842657A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 中田尚幸;牛田泰久 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 iii 氮化物 半导体 发光 器件 方法 | ||
1.一种用于制造具有p覆盖层和p接触层的III族氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括：
通过Mg掺杂的晶体生长使晶体的至少一部分的极性反转从而形成所述p覆盖层使得在所述p覆盖层上具有凹凸形状；并且
在所述p覆盖层上沿着所述凹凸形状形成所述p接触层。
2.根据权利要求1所述的用于制造III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在所述p覆盖层中Mg的掺杂量为1.2×1020/cm3或更多。
3.根据权利要求2所述的用于制造III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在所述p覆盖层中Mg的掺杂量为1×1021/cm3或更少。
4.根据权利要求1所述的用于制造III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在所述p覆盖层中Mg的掺杂量为1×1020/cm3至10×1020/cm3。
5.根据权利要求1所述的用于制造III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在所述p覆盖层中Mg的掺杂量为1.2×1020/cm3至5×1020/cm3。
6.根据权利要求1所述的用于制造III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在所述p覆盖层中Mg的掺杂量为1.2×1020/cm3至2.4×1020/cm3。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的用于制造III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述p覆盖层由AlGaN形成。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的用于制造III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述p覆盖层在1kPa至100kPa的压力下生长。
9.根据权利要求7所述的用于制造III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述p覆盖层在1kPa至100kPa的压力下生长。
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