[发明专利]MOCVD设备反应器的喷淋头及其连接结构有效
| 申请号: | 201210204724.9 | 申请日: | 2012-06-18 |
| 公开(公告)号: | CN102691051A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
| 发明(设计)人: | 丁云鑫;徐小明;周永君;邬建伟 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 喻学兵 |
| 地址: | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | mocvd 设备 反应器 喷淋 及其 连接 结构 | ||
1.MOCVD设备反应器的喷淋头,包括喷淋组件、顶盖组件,顶盖组件包括顶盖,喷淋组件包括连接在一起的底层、中间层和顶层,底层和中间层之间形成冷却水通道、冷却水腔,中间层和顶层之间形成V族气体腔体,顶层和顶盖之间形成III族气体腔体,其特征在于,底层为内凹形一体件,具有底壁和自底壁凸出的圈围侧壁,中间层的外侧面和底层的圈围侧壁的内侧面焊接。
2.如权利要求1所述的喷淋头,其特征在于,在圈围侧壁的内侧具有第一内侧面、轴肩平面和第二内侧面,第一内侧面、轴肩平面以及第二内侧面形成台阶形面,对应该台阶面,中间层的外侧面也设置有台阶面,中间层的台阶面和底层的台阶面配合以使中间层定位在底层之上,并且借助于两台阶面中对应的一个或多个面的焊接以使中间层焊接在底层之上。
3.如权利要求1所述的喷淋头,其特征在于,在底层的底壁上有环形筋条,该环形筋条、底壁、圈围侧壁的内侧面以及中间层的下表面之间合成环形的冷却水通道,该环形筋条、底壁以及中间层的表面之间合成冷却水腔,所述冷却水通道由设置在所述底壁上的挡水筋条分隔成进水通道和出水通道,所述环形筋条有缺口以分别形成有进水通道的出口以及出水通道的入口。
4.如权利要求3所述的喷淋头,其特征在于,在各缺口处设置有导向筋条以将冷却水导向到冷却水腔。
5.如权利要求3所述的喷淋头,其特征在于,两处挡水筋条间隔180度分布,及进水通道的出口、出水通道的入口间隔180度分布。
6.如权利要求3所述的喷淋头,其特征在于,III族毛细管、V族毛细管穿过中间层的底壁、冷却水腔和底层的底壁。
7.如权利要求1所述的喷淋头,其特征在于,通往V族气体腔体的V族气体通道包括依次接通的底层的圈围侧壁上的孔、顶盖侧壁上的孔以及中间层侧壁上的孔。
8.如权利要求1所述的喷淋头,其特征在于,通往III族气体腔体的III族气体通道包括依次接通的底层的圈围侧壁上的孔、顶层侧壁上的孔和III族气体配流环。
9.如权利要求8所述的喷淋头,其特征在于III族气体配流环为一圆环形,以将III族气体均匀地分配至III族气体腔体。
10.MOCVD设备反应器的喷淋头的连接结构,用于连接喷淋头的喷淋组件的底层和中间层,其特征在于,包括在为一体件的底层的底壁凸出的圈围侧壁和中间层的外侧面,该圈围侧壁的内侧面和该外侧面相焊接。
11.如权利要求10所述的连接结构,其特征在于,在圈围侧壁的内侧具有第一内侧面、轴肩平面和第二内侧面,第一内侧面、轴肩平面以及第二内侧面形成台阶形面,对应该台阶面,中间层的外侧面也设置有台阶面,中间层的台阶面和底层的台阶面配合以使中间层定位在底层之上,并且借助于两台阶面中对应的一个或多个面的焊接以使中间层焊接在底层之上。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





