[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201210203861.0 | 申请日: | 2012-06-20 |
公开(公告)号: | CN102723397A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 吴渊渊;郑新和;张东炎;李雪飞;陆书龙;杨辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L31/0735 | 分类号: | H01L31/0735;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤;翟羽 |
地址: | 215125 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种异质结太阳能电池,包括一具有第一导电类型的第一薄膜,以及在第一薄膜表面依次设置的一有源区及一具有第二导电类型的第二薄膜,其特征在于,所述第一薄膜与有源区之间还包括一与第一薄膜相异质的第一渐变缓冲层,第二薄膜与有源区之间还包括一与第二薄膜相异质的第二渐变缓冲层。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池,其特征在于,进一步包括一衬底以及一电流扩展层,所述第一薄膜设置在衬底表面,所述电流扩展层设置在第二薄膜表面。
3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池,其特征在于,所述第一渐变缓冲层的材料与第二渐变缓冲层的材料均为InxGa1-xN,有源区的材料为InyGa1-yN,y的范围为0至1;第一渐变缓冲层中x按照远离衬底方向由0渐变至y,而第二渐变缓冲层中x按照远离衬底方向由y渐变至0。
4.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池,其特征在于,进一步包括一缓冲层,置于衬底与第一薄膜之间。
5.一种权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括步骤: 1)在第一薄膜裸露表面生长与第一薄膜相异质的第一渐变缓冲层; 2)在第一渐变缓冲层裸露表面外延生长有源区; 3)在有源区裸露表面生长第二渐变缓冲层; 4)在第二渐变缓冲层裸露表面生长与第二渐变缓冲层相异质的第二薄膜层,且第一薄膜与第二薄膜的导电类型相反。
6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤1)之前进一步包括步骤:提供一衬底,在衬底表面生长第一薄膜;所述步骤4)之后进一步包括步骤:在第二薄膜裸露表面生长电流扩展层。
7.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中第一渐变缓冲层的生长和步骤3)中第二渐变缓冲层的生长均采用组分线性变化生长或组分突变生长。
8.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述在衬底表面生长第一薄膜的步骤,进一步包括步骤:在衬底表面生长一缓冲层,后在缓冲层表面生长第一薄膜。
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