[发明专利]一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法

权利要求书

1.一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法，其特征在于：将缺锂钽酸锂晶体的一侧与碳酸锂质量含量为15.8%~20.1%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到的粒度为0.01mm~0.5mm的富锂多晶粉末A接触，另一侧与碳酸锂质量含量为10.0%~13.5%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到的粒度为0.01mm~0.5mm的贫锂多晶粉末B接触，然后将晶体与多晶粉末一起放入坩埚中，将坩埚放入高温炉在1300~1500℃温度下进行高温扩散处理，即可获得近化学计量比钽酸锂晶体。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：富锂多晶粉末A的制备方法是，采用质量含量为15.8%~20.1%的碳酸锂和余量的五氧化二钽粉末经过充分混合，然后升温、熔化，再将熔体降温结晶，结晶得到块料通过机械粉碎，然后筛分得到粒度为0.01mm~0.5mm的混合颗粒，即为富锂多晶粉末A。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：贫锂多晶粉末B的制备方法是，采用质量含量为10.0%~13.5%的碳酸锂和余量的五氧化二钽粉末经过充分混合，然后升温、熔化，再将熔体降温结晶，结晶得到块料通过机械粉碎，然后筛分得到粒度为0.01mm~0.5mm的混合颗粒，即为贫锂多晶粉末B。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将富锂多晶粉末A放入坩埚底部，将待扩散的缺锂钽酸锂晶体放在这些富锂多晶粉末A的上面，晶体周围裸露的多晶粉末用铂金片覆盖，然后再往坩埚上部放入贫锂多晶粉末B，无须密封。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，扩散温度为1300~1500℃之间，扩散时间根据扩散温度和晶体的厚度进行调整，扩散温度越高、晶体厚度越小需要的扩散时间越短，反之需要的扩散时间越长。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，缺锂的钽酸锂晶体氧化锂含量应低于化学计量配比，即氧化锂的质量含量低于6.33%。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，坩埚是铂金坩埚、钽酸锂陶瓷坩埚或其它耐高温且高温下不与多晶粉末反应的坩埚。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，铂金片可以采用其它高温下稳定的材料代替，当待扩散晶体自身即可完全覆盖坩埚下部的多晶粉末时，无须使用铂金片。