[发明专利]磁随机存取存储器中的磁隧道结(MTJ)有效
| 申请号： | 201210202815.9 | 申请日： | 2012-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN103296197B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 郑凯文;于淳;陈志明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 随机存取存储器 中的 隧道 mtj | ||
1.一种用于磁随机存取存储器单元的结构，包括：
自由层，具有第一长度；
绝缘层，紧靠所述自由层；以及
固定层，包括第一区、第二区和第三区，其中，所述第二区紧靠所述绝缘层并且邻近于所述第一区和所述第三区，所述第二区具有所述第一长度和第一厚度，并且所述第一区和所述第三区具有第二长度和第二厚度。
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一厚度与所述第二厚度的比率约大于1.2。
3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第二长度与所述第一长度的比率大于0.5。
4.根据权利要求1所述的结构，其中，所述自由层包含CoFeB、NiFe、Co、Fe、Ni、FeB或者FePt。
5.根据权利要求1所述的结构，其中，所述固定层包含CoFe、CoFeB或者CoFeB/Ru/CoFeB/PtMn。
6.根据权利要求1所述的结构，其中，所述绝缘层包含MgO或者Al2O3。
7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一厚度大于所述固定层材料的自旋扩散长度(SDL)。
8.根据权利要求1所述的结构，还包括紧靠所述固定层的抗铁磁性材料(AFM)层，所述AFM层具有大于所述第一长度的第三长度。
9.根据权利要求8所述的结构，还包括连接至所述自由层的第一电极和连接至所述AFM层的第二电极。
10.一种形成磁隧道结(MTJ)的方法，包括：
形成包括第一区、第二区和第三区的固定层，其中，邻近于所述第一区和所述第三区的所述第二区具有第一长度和第一厚度，并且所述第一区和所述第三区具有第二长度和第二厚度；
在所述固定层的所述第二区的顶部上形成具有所述第一长度的绝缘层；以及在所述绝缘层的顶部上形成具有所述第一长度的自由层。
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